| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-25页 |
| ·反铁电体的研究历史 | 第8-9页 |
| ·PZT 基反铁电体的结构与性能 | 第9-13页 |
| ·反铁电体的自发极化状态 | 第9-10页 |
| ·反铁电体的电畴结构 | 第10页 |
| ·PZT 基反铁电体的晶体结构 | 第10-12页 |
| ·反铁电体的宏观电学性能 | 第12-13页 |
| ·陶瓷电容器电介质的分类 | 第13-16页 |
| ·反铁电陶瓷电容器的主要特征 | 第16-17页 |
| ·反铁电电容器电介质的主要性能参数 | 第17-20页 |
| ·绝缘电阻率 | 第17-18页 |
| ·反铁电电容器电介质的击穿强度 | 第18-20页 |
| ·反铁电陶瓷电介质瓷料的发展趋势 | 第20页 |
| ·陶瓷的低温烧结 | 第20-21页 |
| ·反铁电陶瓷电容器电介质的制造工艺 | 第21-23页 |
| ·成型工艺 | 第21-22页 |
| ·烧成工艺 | 第22页 |
| ·机械加工工艺 | 第22页 |
| ·电极工艺 | 第22-23页 |
| ·主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 实验过程及测试手段 | 第25-32页 |
| ·原料及设备 | 第25-26页 |
| ·工艺流程 | 第26-27页 |
| ·研究方法及测试手段 | 第27-32页 |
| ·体积密度、吸水率和气孔率 | 第27-28页 |
| ·相对介电常ε_r及损耗角正切值tanδ的测量 | 第28页 |
| ·纵向压电应变常数d33 的测量 | 第28-29页 |
| ·居里温度的测量 | 第29页 |
| ·热释电电流的测量 | 第29-30页 |
| ·绝缘电阻率的测量 | 第30页 |
| ·击穿电场强度的测量 | 第30-31页 |
| ·电滞回线的测量 | 第31页 |
| ·扫描电子显微镜分析（SEM） | 第31页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第31-32页 |
| 第三章 反铁电PZT 体系储能材料 | 第32-43页 |
| ·反铁电PZT 体系合成及烧结温度的确定 | 第32-34页 |
| ·合成温度的确定 | 第32-33页 |
| ·烧结温度的确定 | 第33-34页 |
| ·反铁电PZT 材料的介电性能 | 第34-41页 |
| ·反铁电PZT 的介电温谱 | 第34-36页 |
| ·反铁电PZT 的相对介电常数和介电损耗 | 第36-37页 |
| ·反铁电PZT 材料的电阻率和击穿强度 | 第37-39页 |
| ·反铁电PZT 材料的电滞回线 | 第39-41页 |
| ·反铁电PZT 的相组成 | 第41-42页 |
| ·反铁电PZT 的SEM 图片 | 第42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 反铁电PMN－PZT 体系储能材料 | 第43-51页 |
| ·反铁电PMN－PZT 的合成以及烧结 | 第44页 |
| ·PMN－PZT 体系的相组成 | 第44-45页 |
| ·PMN 掺杂量对于反铁电PZT 材料性能的影响 | 第45-47页 |
| ·介电温谱 | 第45-46页 |
| ·相对介电常数和介电损耗 | 第46-47页 |
| ·绝缘电阻率以及击穿强度 | 第47页 |
| ·Ti的含量对于反铁电PMN－PZT 材料性能的影响 | 第47-49页 |
| ·介电温谱 | 第47-48页 |
| ·相对介电常数和介电损耗 | 第48-49页 |
| ·绝缘电阻率和击穿强度 | 第49页 |
| ·PMN－PZT 体系的微观结构（SEM） | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 Yb 掺杂反铁电PZT 体系储能材料 | 第51-60页 |
| ·反铁电PYZT 以及PYN－PZT 的合成与烧结 | 第52-53页 |
| ·PYZT 体系材料的性能 | 第53-55页 |
| ·PYZT 体系的相组成 | 第53页 |
| ·介电温谱 | 第53-54页 |
| ·PYZT 体系室温介电性能 | 第54-55页 |
| ·PYN-PZT 体系材料的性能 | 第55-58页 |
| ·介电温谱 | 第55-56页 |
| ·PYN－PZT 体系的室温介电性能 | 第56-57页 |
| ·PYN－PZT 体系的相组成 | 第57-58页 |
| ·PYN－PZT 体系的SEM | 第58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 发表论文情况说明 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |