| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 文献综述 | 第9-26页 |
| ·绪论 | 第9-10页 |
| ·TiO_2 的光催化机理 | 第10-11页 |
| ·TiO_2 光催化反应的影响因素 | 第11-13页 |
| ·TiO_2 晶型的影响 | 第12页 |
| ·TiO_2 晶粒尺寸的影响 | 第12页 |
| ·TiO_2 表面特性的影响 | 第12-13页 |
| ·其他影响因素 | 第13页 |
| ·提高纳米TiO_2 光催化活性的方法 | 第13-16页 |
| ·金属离子掺杂改性 | 第13-15页 |
| ·过渡金属离子掺杂 | 第14页 |
| ·稀土金属离子掺杂 | 第14页 |
| ·金属离子共掺杂 | 第14-15页 |
| ·贵金属修饰 | 第15页 |
| ·非金属掺杂 | 第15页 |
| ·半导体复合 | 第15-16页 |
| ·表面光敏化 | 第16页 |
| ·TiO_2 一维纳米阵列体系 | 第16-21页 |
| ·纳米阵列组装体系与多孔氧化铝模板 | 第16-18页 |
| ·氧化铝模板法制备 TiO_2 一维纳米阵列 | 第18-21页 |
| ·Sol-Gel 法制备TiO_2 纳米阵列 | 第18-20页 |
| ·直流电沉积模板合成TiO_2 纳米阵列 | 第20-21页 |
| ·水解沉淀法合成 TiO_2 纳米阵列 | 第21页 |
| ·TiO_2 光催化剂在环境保护方面的应用 | 第21-23页 |
| ·处理废水 | 第22页 |
| ·气态污染物的降解 | 第22页 |
| ·光自洁作用 | 第22-23页 |
| ·杀菌作用 | 第23页 |
| ·纳米氧化钛光催化产业化前景 | 第23-24页 |
| ·课题的提出和研究的主要内容 | 第24-26页 |
| 第二章 实验部分 | 第26-33页 |
| ·实验原料 | 第26-27页 |
| ·实验过程及方法 | 第27-31页 |
| ·多孔氧化铝模板（PAA）的制备 | 第27-28页 |
| ·氧化钛溶胶的制备 | 第28-29页 |
| ·溶胶- 电泳法制备氧化钛纳米线 | 第29-30页 |
| ·TiO_2 薄膜对比试样的制备 | 第30-31页 |
| ·分析方法与测试 | 第31-33页 |
| ·性能测试 | 第31-32页 |
| ·光催化性能测试 | 第32-33页 |
| 第三章 掺杂氧化钛纳米线制备工艺优化 | 第33-41页 |
| ·氧化铝模板制备工艺优化 | 第33-37页 |
| ·第一次阳极氧化时间对模板有序性的影响 | 第33-34页 |
| ·第二次阳极氧化时间对模板的影响 | 第34-37页 |
| ·溶胶- 电泳沉积时间对模板表面状态和光催化性能的影响 | 第37-41页 |
| 第四章 共掺杂氧化钛纳米线可见光催化性能 | 第41-56页 |
| ·金属离子共掺杂氧化钛纳米线 | 第41-47页 |
| ·金属离子共掺杂氧化钛纳米线光催化性能 | 第41-43页 |
| ·金属离子共掺杂 TiO_2 复合薄膜的UV -Vis 吸收光谱测试 | 第43-45页 |
| ·金属离子共掺杂机理 | 第45-47页 |
| ·半导体掺杂及半导体与金属离子共掺杂氧化钛纳米线 | 第47-52页 |
| ·半导体掺杂及半导体与金属离子共掺杂 TiO_2 纳米线光催化性能 | 第48-49页 |
| ·InVO_4/TiO_2 及InVO_4/M/TiO_2 复合薄膜的UV-Vis 吸收光谱测试 | 第49-51页 |
| ·InVO_4/TiO_2 及InVO_4/M/TiO_2 复合半导体的可见光催化机理 | 第51-52页 |
| ·掺杂氧化钛纳米线与薄膜的可见光催化性能对比 | 第52-54页 |
| ·掺杂氧化钛纳米线老化性能 | 第54-56页 |
| 第五章 R S 溶胶制备氧化钛纳米线及其可见光催化性能 | 第56-67页 |
| ·RS 溶胶性能表征 | 第56-57页 |
| ·RS 溶胶制备TiO_2 纳米线电泳电压探讨 | 第57-59页 |
| ·RS 溶胶制备TiO_2 纳米线可见光催化性能 | 第59-61页 |
| ·RS 溶胶低温制备TiO_2 薄膜的紫外- 可见吸收光谱 | 第61-62页 |
| ·RS 溶胶制备TiO_2 纳米线可见光催化机理 | 第62-64页 |
| ·RS 溶胶制备TiO_2 纳米线与薄膜光催化性能比较 | 第64-65页 |
| ·RS 溶胶与有机体系溶胶制备 TiO_2 纳米线光催化性能比较 | 第65-67页 |
| 第六章 总结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
