| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-24页 |
| §1-1 绪论 | 第10-12页 |
| §1-2 铸造多晶硅材料的特点及生长工艺 | 第12-20页 |
| 1-2-1 铸造多晶硅中的主要杂质 | 第12-14页 |
| 1-2-2 铸造多晶硅中的缺陷 | 第14-15页 |
| 1-2-3 铸造多晶硅的制备方法 | 第15-18页 |
| 1-2-4 铸造多晶硅的生长工艺及影响因素 | 第18-20页 |
| §1-3 硅片的少子寿命及影响因素 | 第20-21页 |
| 1-3-1 非平衡少数载流子 | 第20页 |
| 1-3-2 少数载流子寿命 | 第20-21页 |
| 1-3-3 少数载流子寿命对太阳电池的影响 | 第21页 |
| §1-4 改善材料电学性能的各种工艺 | 第21-23页 |
| 1-4-1 吸杂工艺 | 第21-23页 |
| 1-4-2 钝化工艺 | 第23页 |
| §1-5 本论文的主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第二章 实验过程及测试方法 | 第24-32页 |
| §2-1 样品制备 | 第24-26页 |
| 2-1-1 样品预处理 | 第24页 |
| 2-1-2 实验方案 | 第24-25页 |
| 2-1-3 缺陷的腐蚀 | 第25-26页 |
| §2-2 主要实验设备 | 第26-32页 |
| 2-2-1 常规热处理炉 | 第26-27页 |
| 2-2-2 快速热处理（RTP）炉 | 第27页 |
| 2-2-3 光学显微镜 | 第27-28页 |
| 2-2-4 扫描电子显微镜 | 第28页 |
| 2-2-5 微波光电导衰减仪 | 第28-32页 |
| 第三章 热处理对铸造多晶硅片缺陷形貌和少子寿命的影响 | 第32-46页 |
| §3-1 引言 | 第32页 |
| §3-2 原生铸造多晶硅片的表面缺陷形貌 | 第32-35页 |
| 3-2-1 实验 | 第32-33页 |
| 3-2-2 结果与讨论 | 第33-35页 |
| §3-3 单步退火对铸造多晶硅片缺陷形貌和少子寿命的影响 | 第35-38页 |
| 3-3-1 实验 | 第35页 |
| 3-3-2 结果与讨论 | 第35-38页 |
| §3-4 两步退火对铸造多晶硅片缺陷形貌和少子寿命的影响 | 第38-40页 |
| 3-4-1 实验 | 第38页 |
| 3-4-2 结果与讨论 | 第38-40页 |
| §3-5 RTP 对铸造多晶硅片缺陷形貌和少子寿命的影响 | 第40-45页 |
| 3-5-1 实验 | 第40-41页 |
| 3-5-2 结果与讨论 | 第41-45页 |
| §3-6 小结 | 第45-46页 |
| 第四章 RTP 对铸造多晶硅经铜、铁、镍杂质玷污后少子寿命的影响 | 第46-56页 |
| §4-1 引言 | 第46页 |
| §4-2 硅中的金属杂质 | 第46-51页 |
| 4-2-1 金属杂质在硅中的存在形式 | 第46-48页 |
| 4-2-2 硅中金属杂质的固溶度 | 第48-49页 |
| 4-2-3 硅中金属杂质的复合体和沉淀 | 第49-50页 |
| 4-2-4 铜、铁和镍杂质对铸造多晶硅性能的影响 | 第50-51页 |
| §4-3 RTP 对铜、铁、镍杂质玷污后硅片少子寿命的影响 | 第51-55页 |
| 4-3-1 实验 | 第51-52页 |
| 4-3-2 结果与讨论 | 第52-55页 |
| §4-4 小结 | 第55-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第63页 |
