| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| §1-1 区熔硅单晶的发展方向 | 第8-9页 |
| §1-2 对区熔硅单晶电学参数的要求 | 第9页 |
| §1-3 掺杂方法介绍 | 第9-10页 |
| 1-3-1 直接掺杂 | 第9页 |
| 1-3-2 中子辐照（NTD）掺杂 | 第9-10页 |
| 1-3-3 汽相掺杂 | 第10页 |
| §1-4 掺杂控制技术介绍 | 第10-12页 |
| 1-4-1 普通掺杂控制技术 | 第10页 |
| 1-4-2 掺杂控制前沿技术 | 第10-12页 |
| §1-5 本论文研究的必要性和重要性 | 第12页 |
| 1-5-1 中照资源短缺 | 第12页 |
| 1-5-2 单晶完整性 | 第12页 |
| 1-5-3 国内外市场竞争 | 第12页 |
| §1-6 国内外掺杂水平比较 | 第12-14页 |
| 1-6-1 国内区熔产品基本物理、电学参数及应用范围 | 第13页 |
| 1-6-2 国内外汽相掺杂单晶掺杂水平的比较 | 第13-14页 |
| §1-7 本论文的研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 区熔硅单晶生长及掺杂原理的相关理论 | 第15-32页 |
| §2-1 悬浮区熔法生长硅单晶的原理 | 第15-18页 |
| 2-1-1 熔区的稳定性 | 第16-17页 |
| 2-1-2 FZ 与CZ 法的比较 | 第17-18页 |
| §2-2 区熔单晶炉介绍 | 第18-23页 |
| 2-2-1 炉膛 | 第19页 |
| 2-2-2 保护气氛和加热线圈 | 第19-21页 |
| 2-2-3 上轴、下轴 | 第21-22页 |
| 2-2-4 晶体夹持装置 | 第22页 |
| 2-2-5 观察窗 | 第22-23页 |
| §2-3 区熔生长工艺 | 第23-26页 |
| 2-3-1 悬浮区熔提纯硅 | 第23-24页 |
| 2-3-2 FZ 硅单晶生长 | 第24-26页 |
| §2-4 掺杂机理 | 第26-28页 |
| §2-5 区熔硅单晶中的杂质分布 | 第28-29页 |
| §2-6 区熔硅单晶的掺杂技术 | 第29-32页 |
| 2-6-1 多晶沉积掺杂法 | 第29页 |
| 2-6-2 硅芯掺杂法 | 第29-30页 |
| 2-6-3 溶液涂敷掺杂法 | 第30页 |
| 2-6-4 棒孔掺杂法 | 第30页 |
| 2-6-5 汽相掺杂法 | 第30页 |
| 2-6-6 中子嬗变掺杂(NTD)法 | 第30-32页 |
| 第三章 汽相掺杂效果与拉晶工艺及晶体参数间的关系 | 第32-53页 |
| §3-1 拉晶工艺对汽相掺杂区熔硅单晶径向电阻率均匀性的影响 | 第32-41页 |
| 3-1-1 汽相掺杂系统的建立 | 第32-35页 |
| 3-1-2 样品制备及测试方法 | 第35-36页 |
| 3-1-3 结果与分析 | 第36-41页 |
| §3-2 晶体直径与单晶径向电阻率均匀性的关系 | 第41-52页 |
| 3-2-1 硅片测试方案 | 第41-42页 |
| 3-2-2 相同电阻率范围、不同单晶直径实验数据汇总分析 | 第42-52页 |
| §3-3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 攻读学位期间所获得的相关科研成果 | 第58页 |
