| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 目录 | 第11-15页 |
| 插图清单 | 第15-17页 |
| 附表清单 | 第17-18页 |
| 符号及缩写说明 | 第18-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-43页 |
| ·引言 | 第19-20页 |
| ·有机半导体材料的发展 | 第20-21页 |
| ·有机半导体材料的主要应用 | 第21-29页 |
| ·有机电致发光显示 | 第21-24页 |
| ·有机太阳能电池 | 第24-25页 |
| ·有机激光器 | 第25-26页 |
| ·有机光电探测器 | 第26页 |
| ·有机传感器 | 第26-28页 |
| ·有机场效应晶体管 | 第28-29页 |
| ·有机场效应晶体管研究概况 | 第29-37页 |
| ·有机场效应晶体管研究现状 | 第29-33页 |
| ·有机集成电路技术研究现状 | 第33-35页 |
| ·有机场效应晶体管的应用 | 第35-37页 |
| ·目前有机场效应晶体管研究中的热点和存在的主要问题 | 第37-40页 |
| ·本文主要研究内容 | 第40-43页 |
| 第二章 有机场效应晶体管结构、材料及其理论分析 | 第43-75页 |
| ·器件结构 | 第43-48页 |
| ·顶栅极结构 | 第43-44页 |
| ·底栅极结构 | 第44-45页 |
| ·顶接触结构 | 第45页 |
| ·底接触结构 | 第45-46页 |
| ·其它结构 | 第46-48页 |
| ·有机场效应晶体管材料 | 第48-62页 |
| ·半导体有源层材料 | 第48-56页 |
| ·栅绝缘层材料 | 第56-59页 |
| ·电极材料 | 第59-61页 |
| ·衬底材料 | 第61-62页 |
| ·有机半导体载流子传输机制 | 第62-72页 |
| ·孤子和小极化子模型 | 第63-65页 |
| ·跳跃模型 | 第65-67页 |
| ·多重俘获与释放模型 | 第67-68页 |
| ·多晶晶界陷阱模型 | 第68-72页 |
| ·金属/有机半导体接触 | 第72-73页 |
| ·热发射注入模型 | 第72-73页 |
| ·隧穿注入模型 | 第73页 |
| ·空间电荷限制电流和陷阱电荷限制电流模型 | 第73页 |
| ·小结 | 第73-75页 |
| 第三章 蒽有机场效应晶体管的研究与制备 | 第75-103页 |
| ·引言 | 第75-76页 |
| ·OFET的制备 | 第76-85页 |
| ·器件材料的选择 | 第76-80页 |
| ·器件结构 | 第80页 |
| ·器件制备工艺 | 第80-85页 |
| ·蒽薄膜性能的表征 | 第85-89页 |
| ·SiO_2基底上沉积蒽薄膜的性能表征 | 第85-88页 |
| ·实验 | 第85页 |
| ·结果与分析 | 第85-88页 |
| ·聚酰亚胺基底上沉积蒽薄膜的性能表征 | 第88-89页 |
| ·OFET的工作原理 | 第89-92页 |
| ·OFET的特征参数的理论分析 | 第92-95页 |
| ·载流子迁移率 | 第92-94页 |
| ·开关电流比 | 第94-95页 |
| ·阈值电压 | 第95页 |
| ·器件性能测试 | 第95-99页 |
| ·器件测试原理与测试电路 | 第95-96页 |
| ·器件输出特性和转移特性曲线 | 第96-99页 |
| ·场效应迁移率及开关电流比的估算 | 第99页 |
| ·影响OFET性能的参数的分析 | 第99-102页 |
| ·接触电阻 | 第99-100页 |
| ·绝缘层的状况 | 第100-101页 |
| ·半导体生长状况 | 第101-102页 |
| ·小结 | 第102-103页 |
| 第四章 9,9'-联蒽的合成、表征及其场效应晶体管的制备 | 第103-115页 |
| ·引言 | 第103页 |
| ·9,9'-联蒽的合成、提纯与表征 | 第103-107页 |
| ·9,9'-联蒽的合成 | 第103-104页 |
| ·9,9'-联蒽的提纯 | 第104页 |
| ·9,9'-联蒽的结构表征 | 第104-107页 |
| ·有机场效应晶体管的制备工艺 | 第107-112页 |
| ·基片清洗 | 第108-110页 |
| ·热氧化生长栅绝缘层 | 第110-111页 |
| ·栅电极的制备 | 第111页 |
| ·有机半导体层的制备 | 第111-112页 |
| ·源漏电极的形成 | 第112页 |
| ·有机场效应晶体管的器件特性的分析 | 第112-113页 |
| ·小结 | 第113-115页 |
| 第五章 有机层/绝缘层的表面和界面特性的研究 | 第115-129页 |
| ·引言 | 第115-116页 |
| ·AFM及XPS测量方法与原理 | 第116-118页 |
| ·原子力显微镜(AFM)测量原理 | 第116页 |
| ·X-射线光电子能谱(XPS)基本原理 | 第116-118页 |
| ·9,9'-联蒽成膜性能的AFM研究 | 第118-122页 |
| ·实验 | 第118-119页 |
| ·结果与讨论 | 第119-122页 |
| ·9,9′-bianthracene/SiO_2结构的XPS分析 | 第122-126页 |
| ·实验 | 第122页 |
| ·结果与分析 | 第122-126页 |
| ·9,9′-联蒽薄膜的XRD分析 | 第126-127页 |
| ·小结 | 第127-129页 |
| 第六章 结论与展望 | 第129-134页 |
| ·结论 | 第129-131页 |
| ·展望 | 第131-134页 |
| 参考文献 | 第134-154页 |
| 附录Ⅰ 攻读学位期间取得的成果 | 第154-156页 |
| 附录Ⅱ 攻读学位期间参加的科研项目 | 第156-157页 |
| 致谢 | 第157页 |
