KDP溶液晶体生长新系统输运特性数值模拟研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-14页 |
| 1 绪论 | 第14-38页 |
| ·引言 | 第14-19页 |
| ·非线性光学材料简介 | 第14-15页 |
| ·KDP 晶体简介 | 第15-19页 |
| ·晶体生长的基本过程 | 第19-23页 |
| ·溶解过程 | 第19页 |
| ·晶体生长基元的形成 | 第19-20页 |
| ·晶体生长的输运过程 | 第20-21页 |
| ·晶体生长界面及其生长 | 第21-23页 |
| ·晶体生长的研究现状 | 第23-34页 |
| ·晶体的制备方法 | 第23-27页 |
| ·KDP 晶体快速生长的相关研究 | 第27-29页 |
| ·晶体形貌稳定性方面的研究 | 第29-32页 |
| ·数值模拟的研究现状 | 第32-34页 |
| ·课题的研究目的和内容 | 第34-38页 |
| ·课题的提出及意义 | 第34-35页 |
| ·课题的研究内容 | 第35-36页 |
| ·本课题的主要特色 | 第36-38页 |
| 2 小尺寸晶体液下生长的数值模拟 | 第38-64页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·数值模拟 | 第38-39页 |
| ·FLUENT 软件 | 第39-40页 |
| ·FLUENT 软件介绍 | 第39页 |
| ·FLUENT 模拟计算步骤 | 第39-40页 |
| ·晶体生长的输运过程 | 第40-45页 |
| ·输运理论的基本方程 | 第40-42页 |
| ·控制方程的离散格式 | 第42-44页 |
| ·流场计算的SIMPLE 算法 | 第44-45页 |
| ·物理模型 | 第45-46页 |
| ·数学模型 | 第46-49页 |
| ·基本假设 | 第46页 |
| ·基本控制方程 | 第46页 |
| ·边界条件 | 第46-48页 |
| ·网格划分及数值方法 | 第48-49页 |
| ·计算结果及分析 | 第49-62页 |
| ·入口溶液流动速度的影响 | 第49-56页 |
| ·体过饱和度的影响 | 第56-60页 |
| ·晶体尺寸的影响 | 第60-62页 |
| ·小结 | 第62-64页 |
| 3 KDP 晶体喷入式生长系统及数值模拟 | 第64-88页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·物理模型的提出 | 第64-65页 |
| ·数学模型 | 第65-67页 |
| ·基本假设 | 第65-66页 |
| ·基本方程及边界条件 | 第66页 |
| ·网格划分及数值方法 | 第66-67页 |
| ·计算结果及分析 | 第67-81页 |
| ·体过饱和度σb 的影响 | 第67-71页 |
| ·同时改变入口流速Vpr 和Vpy 的影响 | 第71-75页 |
| ·柱面入口流速Vpr 的影响 | 第75-77页 |
| ·锥面入口流速Vpy 的影响 | 第77-79页 |
| ·入口流速和体过饱和度对溶质边界层的影响 | 第79-81页 |
| ·结果讨论 | 第81-85页 |
| ·自然对流与强制对流 | 第81-83页 |
| ·系统的比较及优化 | 第83-85页 |
| ·小结 | 第85-88页 |
| 4 带旋转流场的晶体生长系统及数值模拟 | 第88-112页 |
| ·引言 | 第88页 |
| ·物理模型 | 第88-89页 |
| ·数学模型 | 第89-91页 |
| ·基本假设 | 第89页 |
| ·基本方程及边界条件 | 第89-90页 |
| ·湍流模型 | 第90-91页 |
| ·网格划分及数值方法 | 第91页 |
| ·计算结果及分析 | 第91-104页 |
| ·旋转速度的影响 | 第91-96页 |
| ·体过饱和度的影响 | 第96-101页 |
| ·溶液入口流速的影响 | 第101-104页 |
| ·结果讨论 | 第104-110页 |
| ·自然对流与强制对流 | 第104-106页 |
| ·溶质边界层 | 第106-108页 |
| ·系统的比较及优化 | 第108-110页 |
| ·小结 | 第110-112页 |
| 5 结论与展望 | 第112-116页 |
| ·论文的主要结论 | 第112-114页 |
| ·论文的主要创新点 | 第114页 |
| ·后续研究工作的展望 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 参考文献 | 第118-126页 |
| 附录 | 第126-132页 |
| A.晶体生长源项C 程序 | 第126-131页 |
| B.攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第131-132页 |
| C.攻读博士学位期间参加的科研项目 | 第132页 |
