Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的制备与光电性能研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-25页 |
| ·透明导电薄膜的研究现状 | 第9-12页 |
| ·Cd_2SnO_4 薄膜体系 | 第9-10页 |
| ·SnO_2 基透明导电薄膜 | 第10-11页 |
| ·In_2O_3 基透明导电薄膜 | 第11页 |
| ·ZnO 基透明导电薄膜 | 第11-12页 |
| ·透明导电氧化物薄膜的应用 | 第12-16页 |
| ·关于ZnO 薄膜的研究 | 第16-20页 |
| ·ZnO:AI 透明导电薄膜 | 第17-19页 |
| ·ZnO:In 透明导电薄膜 | 第19页 |
| ·ZnO:Ga 透明导电薄膜 | 第19-20页 |
| ·其它元素掺杂的ZnO 透明导电薄膜 | 第20页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第20-24页 |
| ·选取衬底材料和沉积缓冲层 | 第20-21页 |
| ·薄膜主要制备技术 | 第21-24页 |
| ·研究意义、研究内容和创新点 | 第24-25页 |
| 2 薄膜的制备与表征 | 第25-33页 |
| ·射频磁控溅射 | 第25-26页 |
| ·GZO 薄膜的制备过程 | 第26-29页 |
| ·实验装置 | 第26-27页 |
| ·实验前期准备工作 | 第27页 |
| ·薄膜沉积过程 | 第27-28页 |
| ·GZO 薄膜的制备条件 | 第28-29页 |
| ·GZO 薄膜性能测试 | 第29-33页 |
| ·晶体结构的表征方法（XRD） | 第29页 |
| ·薄膜表面形貌测试 | 第29-30页 |
| ·薄膜的成分及各元素化学态的测试 | 第30页 |
| ·薄膜透射光谱测试 | 第30-31页 |
| ·薄膜厚度以及Hall 效应的测量 | 第31-32页 |
| ·温差电动势的测量 | 第32-33页 |
| 3 GZO 薄膜的结构形态 | 第33-44页 |
| ·衬底温度对薄膜结构形态的影响 | 第33-39页 |
| ·沉积厚度对薄膜的影响 | 第39-41页 |
| ·掺杂浓度对薄膜结构特性的影响 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 4 GZO 薄膜的电学特性 | 第44-48页 |
| ·衬底温度对薄膜电学特性的影响 | 第44-45页 |
| ·不同沉积厚度对GZO 薄膜电学性能的影响 | 第45-46页 |
| ·不同掺杂浓度对GZO 薄膜电学性能的影响 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 5 GZO 薄膜的光学特性 | 第48-55页 |
| ·衬底温度对GZO 光学性能的影响 | 第48-51页 |
| ·沉积厚度对薄膜光学特性的影响 | 第51-52页 |
| ·掺杂浓度对薄膜光学特性的影响 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 6 GZO 薄膜的热电特性及磁阻特性 | 第55-62页 |
| ·沉积厚度对薄膜热电性能的影响 | 第56-58页 |
| ·掺杂浓度对GZO 薄膜热电性能的影响 | 第58页 |
| ·磁场对GZO 薄膜热电性能的影响 | 第58-60页 |
| ·磁阻特性研究 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 7 结论与展望 | 第62-64页 |
| ·主要结论 | 第62-63页 |
| ·后续工作与展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 附录 | 第70-71页 |
| A 作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第70-71页 |
| B 作者在攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第71页 |
