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SDD低能区的效率刻度及能谱模拟

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 引言第10-15页
    1.1 研究背景和意义第10-11页
    1.2 国内外研究现状第11-14页
    1.3 拟研究内容与创新点第14-15页
第2章 KETEK生产的H80型硅漂移探测器简介第15-19页
    2.1 硅漂移探测器的工作原理第15-16页
    2.2 硅漂移探测器的结构第16-18页
    2.3 本章小结第18-19页
第3章 PENELOPE程序简介第19-26页
    3.1 蒙特卡罗方法简介第19-20页
    3.2 PENELOPE程序第20-25页
        3.2.1 PENELOPE程序及各源程序第20-21页
        3.2.2 PENELOPE主程序及其执行第21-25页
    3.3 本章小结第25-26页
第4章 SDD探测效率刻度第26-38页
    4.1 刻度方法第26-37页
        4.1.1 相对效率刻度法第26-32页
        4.1.2 理论模型计算法第32-34页
        4.1.3 无源效率刻度第34-37页
    4.2 结果与分析第37页
    4.3 本章小结第37-38页
第5章 能谱模拟第38-49页
    5.1 ~(241)AM刻度谱的模拟第38-41页
    5.2 正电子碰撞A1靶X射线能谱的模拟与分析第41-48页
        5.2.1 模拟谱与实验谱的比较第42-43页
        5.2.2 元素特征X射线识别程序的开发与应用第43-48页
    5.3 本章小结第48-49页
第6章 结论与展望第49-51页
    6.1 结论第49页
    6.2 展望第49-51页
参考文献第51-57页
附录1 SDD模型的几何定义文件第57-59页
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果第59-60页
致谢第60页

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