SDD低能区的效率刻度及能谱模拟
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 引言 | 第10-15页 |
1.1 研究背景和意义 | 第10-11页 |
1.2 国内外研究现状 | 第11-14页 |
1.3 拟研究内容与创新点 | 第14-15页 |
第2章 KETEK生产的H80型硅漂移探测器简介 | 第15-19页 |
2.1 硅漂移探测器的工作原理 | 第15-16页 |
2.2 硅漂移探测器的结构 | 第16-18页 |
2.3 本章小结 | 第18-19页 |
第3章 PENELOPE程序简介 | 第19-26页 |
3.1 蒙特卡罗方法简介 | 第19-20页 |
3.2 PENELOPE程序 | 第20-25页 |
3.2.1 PENELOPE程序及各源程序 | 第20-21页 |
3.2.2 PENELOPE主程序及其执行 | 第21-25页 |
3.3 本章小结 | 第25-26页 |
第4章 SDD探测效率刻度 | 第26-38页 |
4.1 刻度方法 | 第26-37页 |
4.1.1 相对效率刻度法 | 第26-32页 |
4.1.2 理论模型计算法 | 第32-34页 |
4.1.3 无源效率刻度 | 第34-37页 |
4.2 结果与分析 | 第37页 |
4.3 本章小结 | 第37-38页 |
第5章 能谱模拟 | 第38-49页 |
5.1 ~(241)AM刻度谱的模拟 | 第38-41页 |
5.2 正电子碰撞A1靶X射线能谱的模拟与分析 | 第41-48页 |
5.2.1 模拟谱与实验谱的比较 | 第42-43页 |
5.2.2 元素特征X射线识别程序的开发与应用 | 第43-48页 |
5.3 本章小结 | 第48-49页 |
第6章 结论与展望 | 第49-51页 |
6.1 结论 | 第49页 |
6.2 展望 | 第49-51页 |
参考文献 | 第51-57页 |
附录1 SDD模型的几何定义文件 | 第57-59页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第59-60页 |
致谢 | 第60页 |