| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4页 |
| 第一章 超导简介 | 第10-22页 |
| 1.1 超导的研究背景及现状 | 第10-13页 |
| 1.2 超导体的基本物理特性 | 第13-18页 |
| 1.2.1 零电阻效应 | 第13-14页 |
| 1.2.2 迈斯纳效应 | 第14-16页 |
| 1.2.3 同位素效应 | 第16-17页 |
| 1.2.4 约瑟夫森效应 | 第17-18页 |
| 1.3 过渡金属硫化物 | 第18-21页 |
| 1.3.1 过渡金属硫化物研究现状 | 第18-20页 |
| 1.3.2 超导2H-NbS_2研究现状 | 第20-21页 |
| 1.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第二章 2H-NbS_2单晶生长,表征和输运性质 | 第22-36页 |
| 2.1 NbS_2的晶体结构 | 第22-23页 |
| 2.2 NbS_2单晶的生长 | 第23-27页 |
| 2.2.1 生长方法 | 第23-24页 |
| 2.2.2 单晶生长 | 第24-27页 |
| 2.3 NbS_2晶体的表征 | 第27-30页 |
| 2.3.1 表征方法 | 第27-29页 |
| 2.3.2 表征结果 | 第29-30页 |
| 2.4 NbS_2单晶输运性质 | 第30-35页 |
| 2.4.1 输运性质测量方法 | 第30-31页 |
| 2.4.2 输运性质测量设备 | 第31-33页 |
| 2.4.3 输运性质测量结果 | 第33-35页 |
| 2.5 本章总结 | 第35-36页 |
| 第三章 化学成分对单晶2H-NbS_2超导性质的影响 | 第36-48页 |
| 3.1 退火改变晶体化学成分 | 第36-37页 |
| 3.2 退火后晶体的表征 | 第37-40页 |
| 3.2.1 表征方法以及结果 | 第37-40页 |
| 3.3 退火晶体的输运性质 | 第40-45页 |
| 3.4 本章总结 | 第45-48页 |
| 第四章 2H-NbS_2纳米薄片的制备,表征和输运性质 | 第48-68页 |
| 4.1 NbS_2纳米薄片的制备 | 第48-51页 |
| 4.2 NbS_2纳米薄片的表征 | 第51-52页 |
| 4.2.1 表征方法 | 第51-52页 |
| 4.3 NbS_2纳米薄片的输运性质 | 第52-64页 |
| 4.3.1 光刻和金属化 | 第53-55页 |
| 4.3.2 转移技术 | 第55-64页 |
| 4.4 实验结果 | 第64-65页 |
| 4.4.1 光学显微镜和AFM表征 | 第64-65页 |
| 4.4.2 输运性质的测量 | 第65页 |
| 4.5 本章总结 | 第65-68页 |
| 第五章 总结 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第80-82页 |