变磁通记忆电机转矩和充退磁控制研究

摘要	第4-6页
Abstract	第6-8页
1 绪论	第11-35页
1.1 研究背景与意义	第11-12页
1.2 变磁通电机	第12-14页
1.3 VFMM研究现状	第14-30页
1.4 研究前景	第30-32页
1.5 本文研究内容及论文结构	第32-35页
2 变磁通记忆电机充退磁特性与电感计算	第35-55页
2.1 变磁通记忆电机	第36-37页
2.2 AlNiCo磁导率及材料BH曲线	第37-41页
2.3 基于MF-FEM计算电机充退磁特性曲线	第41-47页
2.4 基于MFP-FEM计算电感	第47-53页
2.5 本章小结	第53-55页
3 基于直流偏置式轨迹的电感测量	第55-72页
3.1 直流偏置式方法	第56-60页
3.2 电感计算与电阻误差影响消除	第60-66页
3.3 电感测量结果与比较	第66-69页
3.4 实验平台介绍	第69-71页
3.5 本章小结	第71-72页
4 最大转矩电流比控制及充退磁控制	第72-95页
4.1 VFMM稳态数学模型	第73页
4.2 基于神经网络的MTPA控制	第73-81页
4.3 基于母线电压阈值的充退磁控制	第81-87页
4.4 实验验证	第87-94页
4.5 本章小节	第94-95页
5 充退磁电流轨迹控制	第95-118页
5.1 VFMM充退磁过程的动态数学模型	第96-99页
5.2 基于前馈电流调节器的充退磁电流轨迹控制	第99-105页
5.3 静态实验验证	第105-106页
5.4 动态实验验证	第106-117页
5.5 本章小节	第117-118页
6 本文工作总结	第118-121页
6.1 本文的创新点	第118-120页
6.2 工作展望	第120-121页
致谢	第121-122页
参考文献	第122-138页
附录 攻读博士学位期间所取得的学术成果	第138-139页