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MoRe合金微波超导平面腔的制备和石墨烯超导结的探索

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第1章 基础理论第10-22页
    1.1 石墨烯及石墨烯超导结的特性第10-20页
        1.1.1 石墨烯的能带理论-紧束缚近似方法第10-11页
        1.1.2 超导结的电流均匀性与Fraunhofer图案的关系第11-14页
        1.1.3 欠阻尼超导结和过阻尼超导结第14-16页
        1.1.4 Andreev 反射第16页
        1.1.5 扩散过程和弹道输运第16-20页
    1.2 超导金属的重要参数参数的提取第20-22页
第2章 样品的制备和测量平台第22-40页
    2.1 二维材料的处理工艺第22-29页
        2.1.1 二维材料的获取第22-23页
        2.1.2 手套箱的工作原理和使用第23-26页
        2.1.3 二维材料的转移第26-29页
    2.2 微纳加工仪器及其工艺第29-36页
        2.2.1 紫外光刻第29-31页
        2.2.2 电子束曝光第31-34页
        2.2.3 蒸发镀膜第34-35页
        2.2.4 反应离子刻蚀第35-36页
    2.3 低温测量平台第36-40页
        2.3.1 ~3He制冷机第36-39页
        2.3.2 稀释制冷机第39-40页
第3章 MoRe合金微波谐振腔第40-52页
    3.1 微波电路理论第40-43页
        3.1.1 特征阻抗第40-41页
        3.1.2 品质因子第41-43页
    3.2 MoRe合金微波谐振腔的结构的设计和仿真第43-44页
    3.3 MoRe合金微波谐振腔的工艺探索和制备第44-48页
        3.3.1 MoRe合金薄膜的制备第44-45页
        3.3.2 谐振腔的光刻工艺第45-47页
        3.3.3 谐振腔的刻蚀工艺第47-48页
    3.4 MoRe合金微波谐振腔的测量第48-52页
        3.4.1 谐振腔的测量环境和测量线路第48-49页
        3.4.2 谐振腔的测量结果及分析第49-52页
第4章 石墨烯超导结的探索第52-78页
    4.1 石墨烯水平扩散超导结的制备第52-55页
        4.1.1 影响石墨烯与金属的接触的因素第52-53页
        4.1.2 石墨烯晶体管样品的制备第53-54页
        4.1.3 石墨烯与金属的接触电阻的提取第54-55页
    4.2 石墨烯水平扩散超导结的性质第55-60页
        4.2.1 水平扩散超导结的总体性质第55-57页
        4.2.2 石墨烯超导结的回滞性的原因讨论第57-59页
        4.2.3 石墨烯水平扩散超导结的Andreev反射谱讨论第59-60页
    4.3 石墨烯重要参数的提取与提高第60-64页
        4.3.1 石墨烯的迁移率与平均自由程的提取第60-62页
        4.3.2 提高迁移率的途径第62-64页
    4.4 石墨烯的一维接触第64-71页
        4.4.1 一维接触及其制作第64-66页
        4.4.2 h-BN刻蚀速率的测量第66-68页
        4.4.3 金属与石墨烯接触电阻的减少第68-69页
        4.4.4 形成超导结的必要条件第69-70页
        4.4.5 不同金属的一维接触的接触电阻第70-71页
    4.5 石墨烯水平弹道超导结第71-78页
        4.5.1 弹道输运的现象—负阻第71-73页
        4.5.2 弹道输运的现象—归一化电阻第73-74页
        4.5.3 弹道输运的现象—Fabry-Perot 干涉第74-76页
        4.5.4 长结与短结第76-78页
第5章 总结与展望第78-80页
参考文献第80-86页
致谢第86-87页
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第87页

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