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新型二维材料硼烯、磷烯的外延生长及其性质研究

摘要第3-4页
ABSTRACT第4页
第一章 绪论第8-16页
    1.1 拓扑绝缘体第8-10页
        1.1.1 拓扑绝缘体的概念第9页
        1.1.2 拓扑绝缘体的发展第9-10页
    1.2 石墨烯第10-11页
        1.2.1 石墨烯的制备方法第10-11页
        1.2.2 石墨烯的特性第11页
    1.3 硅烯第11-12页
    1.4 硼烯第12-13页
    1.5 磷烯第13-15页
        1.5.1 黑磷第13-14页
        1.5.2 蓝磷第14-15页
    1.6 论文主要研究内容第15-16页
第二章 实验技术和原理第16-28页
    2.1 实验仪器简介第16-18页
    2.2 超高真空系统的获得与维持第18-19页
    2.3 分子束外延技术第19-21页
    2.4 样品表征技术-扫描隧道显微镜(STM)第21-27页
        2.4.1 STM的基本原理第22-26页
        2.4.2 扫描隧道谱(STS)第26-27页
    2.5 低温技术第27-28页
第三章 二维硼的实验生长及其性质研究第28-39页
    3.1 研究背景第28-29页
    3.2 AG(111)表面硼膜的生长第29-31页
    3.3 单层硼膜的结构分析第31-37页
    3.4 单层硼膜的电子性质研究第37-38页
    3.5 本章小结与展望第38-39页
第四章 二维磷的实验生长及其性质研究第39-47页
    4.1 研究背景第39-40页
    4.2 单层磷膜的外延生长第40-43页
    4.3 单层磷膜的结构分析及电子性质研究第43-46页
    4.4 本章小结与展望第46-47页
第五章 论文总结第47-48页
参考文献第48-54页
攻读硕士学位期间完成的科研成果第54-55页
致谢第55页

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