摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第12-30页 |
1.1 引言 | 第12-13页 |
1.2 Ga_2O_3的简介 | 第13-14页 |
1.3 Ga_2O_3日盲紫外探测器 | 第14-19页 |
1.3.1 单晶类 | 第14-15页 |
1.3.2 薄膜类 | 第15-16页 |
1.3.3 纳米材料类 | 第16-19页 |
1.4 常见的Ga_2O_3自供电型日盲紫外探测器 | 第19-23页 |
1.4.1 肖特基结型 | 第19-21页 |
1.4.2 异质结型 | 第21-23页 |
1.5 光电化学电池型紫外探测器 | 第23-24页 |
1.6 本论文的选题依据和主要内容 | 第24-27页 |
1.6.1 选题依据 | 第24-26页 |
1.6.2 主要内容 | 第26-27页 |
参考文献 | 第27-30页 |
第二章 实验与表征 | 第30-41页 |
2.1 引言 | 第30页 |
2.2 实验材料与仪器 | 第30-33页 |
2.2.1 实验材料 | 第30-31页 |
2.2.2 实验仪器 | 第31-33页 |
2.3 实验方法 | 第33-35页 |
2.3.1 水热法 | 第33页 |
2.3.2 退火法 | 第33-34页 |
2.3.3 磁控溅射法 | 第34-35页 |
2.4 表征方法 | 第35-38页 |
2.4.1 X射线衍射仪 | 第35页 |
2.4.2 场发射扫描电子显微镜 | 第35-36页 |
2.4.3 透射式电子显微镜 | 第36-37页 |
2.4.4 显微共焦拉曼光谱仪 | 第37页 |
2.4.5 傅立叶红外光谱仪 | 第37-38页 |
2.4.6 紫外可见分光光度计 | 第38页 |
2.4.7 X射线光电子能谱仪 | 第38页 |
2.5 本章小结 | 第38-39页 |
参考文献 | 第39-41页 |
第三章 Ga_2O_3纳米柱阵列、α/β相结的制备及表征 | 第41-54页 |
3.1 引言 | 第41页 |
3.2 纳米柱阵列的制备 | 第41-43页 |
3.2.1 Ga_2O_3纳米柱阵列的制备 | 第41-42页 |
3.2.2 α/β-Ga_2O_3纳米柱阵列的制备 | 第42-43页 |
3.3 反应条件对纳米柱阵列的影响 | 第43-47页 |
3.3.1 不同的籽晶层浓度 | 第43-44页 |
3.3.2 不同的反应浓度 | 第44-46页 |
3.3.3 不同的反应时间 | 第46-47页 |
3.4 纳米柱阵列的表征 | 第47-51页 |
3.4.1 XRD | 第47-49页 |
3.4.2 SEM | 第49页 |
3.4.3 TEM | 第49-50页 |
3.4.4 FTIR | 第50-51页 |
3.4.5 Raman | 第51页 |
3.5 本章小结 | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-54页 |
第四章 基于Ga_2O_3纳米柱阵列、α/β相结的光电化学型日盲紫外探测器 | 第54-73页 |
4.1 引言 | 第54页 |
4.2 实验部分 | 第54-56页 |
4.2.1 器件的组装 | 第54-55页 |
4.2.2 器件的测试 | 第55-56页 |
4.3 基于Ga_2O_3纳米柱阵列的光电化学型日盲紫外探测器 | 第56-64页 |
4.3.1 UV-vis吸收光谱 | 第56页 |
4.3.2 LSV曲线 | 第56-58页 |
4.3.3 I-t曲线 | 第58-60页 |
4.3.4 工作原理分析 | 第60-64页 |
4.4 基于 α/β-Ga_2O_3纳米柱阵列的光电化学型日盲紫外探测器 | 第64-69页 |
4.4.1 I-t、V-t曲线 | 第64-66页 |
4.4.2 LSV、I-t曲线 | 第66-68页 |
4.4.3 工作原理分析 | 第68-69页 |
4.5 本章小结 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-73页 |
第五章 基于Ga_2O_3纳米柱阵列、α/β相结的固态型日盲紫外探测器 | 第73-85页 |
5.1 引言 | 第73页 |
5.2 实验部分 | 第73-75页 |
5.2.1 器件的组装 | 第73-74页 |
5.2.2 器件的测试 | 第74-75页 |
5.3 FTO/β-Ga_2O_3 NRAs/Ti-Au日盲紫外探测器 | 第75-80页 |
5.3.1 平面测试 | 第75-77页 |
5.3.2 垂直测试 | 第77-80页 |
5.4 FTO/α/β-Ga_2O_3 NRAs/Ti-Au日盲紫外探测器 | 第80-82页 |
5.5 本章小结 | 第82-83页 |
参考文献 | 第83-85页 |
第六章 结论与展望 | 第85-87页 |
6.1 结论 | 第85-86页 |
6.2 展望 | 第86-87页 |
硕士期间成果 | 第87-89页 |
致谢 | 第89页 |