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GaAs HBT功率放大器的电热耦合模拟

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-15页
    1.1 课题背景与意义第9-10页
        1.1.1 GaAsHBT功率放大器的应用和发展第9页
        1.1.2 研究GaAsHBT电路温度分布的重要性第9-10页
    1.2 电路温度分布的研究现状第10-12页
    1.3 主要内容与设计指标第12-13页
        1.3.1 主要内容第12页
        1.3.2 设计要求和指标第12-13页
    1.4 论文工作内容安排第13-15页
第2章 GaAsHBT电路的热分析理论第15-27页
    2.1 GaAsHBT工作原理第15-16页
    2.2 温度分析的基础理论第16-21页
        2.2.1 放大器热量的产生和传递第16-18页
        2.2.2 温升对GaAsHBT电特性的影响第18-21页
    2.3 温度分析的主要计算方法第21-23页
        2.3.1 基于温度场求解的有限元方法第21-22页
        2.3.2 等效电路的方法第22-23页
        2.3.3 解耦迭代法第23页
    2.4 改进方法第23-25页
    2.5 本章小结第25-27页
第3章 有源区热加载的提出及主要热生成区域确定第27-45页
    3.1 热生成机制分析确定热生成区域第27-28页
    3.2 HBT器件模拟确定热生成区域第28-40页
        3.2.1 器件建模和网格划分第29-34页
        3.2.2 物理模型的选取第34-36页
        3.2.3 仿真设置和结果分析第36-40页
    3.3 有源区热加载仿真验证第40-43页
    3.4 本章小结第43-45页
第4章 分布式VBIC电路模型的建立第45-63页
    4.1 VBIC电路模型第45-47页
    4.2 分布式VBIC模型的提出第47-51页
        4.2.1 多指器件温度分布的定性分析第47-50页
        4.2.2 分布式VBIC模型的提出第50-51页
    4.3 基于参数拟合和叠加法提取模型参数第51-58页
        4.3.1 单指HBT的热建模第51-53页
        4.3.2 HBT的函数拟合第53-57页
        4.3.3 叠加法求解模型参数第57-58页
    4.4 利用分布式VBIC模型迭代分析第58-61页
        4.4.1 迭代设置第58-59页
        4.4.2 结果分析第59-61页
    4.5 本章小结第61-63页
第5章 功率放大器的温度仿真和测试第63-77页
    5.1 GaAsHBT射频功放芯片的介绍第63页
    5.2 功率放大器的温度仿真第63-71页
        5.2.1 热学模型的建立第63-68页
        5.2.2 网格划分第68-69页
        5.2.3 模型设置第69-70页
        5.2.4 仿真结果分析第70-71页
    5.3 温度成像测试第71-73页
        5.2.1 红外测温技术第71-72页
        5.2.2 温度成像测试第72-73页
    5.4 结果分析第73-76页
    5.5 本章小结第76-77页
第6章 总结和展望第77-79页
    6.1 总结第77-78页
    6.2 展望第78-79页
致谢第79-81页
参考文献第81-85页
在读期间发表的论文与取得的其它研究成果第85页

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