| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 二维材料的种类 | 第10-12页 |
| 1.3 二维材料的制备 | 第12-16页 |
| 1.3.1 微机械剥离法 | 第12-13页 |
| 1.3.2 液相超声剥离法 | 第13-14页 |
| 1.3.3 化学气相沉积法 | 第14-16页 |
| 1.4 二维材料在光电、电子器件领域的应用研究 | 第16-24页 |
| 1.4.1 单一二维材料光电、电子器件 | 第16-17页 |
| 1.4.2 二维材料复合结构光电、电子器件 | 第17-21页 |
| 1.4.3 本文主要研究内容 | 第21-24页 |
| 第二章 基于过渡金属硫属化物的场效应晶体管 | 第24-34页 |
| 2.1 引言 | 第24-26页 |
| 2.2 MoS_2、HfSe_2纳米片制备 | 第26页 |
| 2.3 MoS_2、HfSe_2纳米片的表征 | 第26-28页 |
| 2.3.1 光学显微镜 | 第27页 |
| 2.3.2 原位拉曼光谱 | 第27-28页 |
| 2.4 MoS_2、HfSe_2场效应晶体管的制备工艺 | 第28-29页 |
| 2.5 MoS_2、HfSe_2场效应晶体管的测试 | 第29-32页 |
| 2.5.1 I_d-V_(ds)特性 | 第29-30页 |
| 2.5.2 V_g-I_d转移特性 | 第30-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 基于MoS_2-CdSe量子点复合结构的光电探测器 | 第34-44页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 制备工艺 | 第34-36页 |
| 3.3 光电探测器的测试 | 第36-40页 |
| 3.3.1 I_d-V_(ds)特性 | 第36-37页 |
| 3.3.2 V_g-I_d转移特性 | 第37-38页 |
| 3.3.3 光电流与响应度 | 第38-39页 |
| 3.3.4 时间响应特性 | 第39-40页 |
| 3.4 机理分析 | 第40-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 MoS_2的化学气相沉积制备工艺研究 | 第44-54页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 化学气相沉积法制备MoS_2 | 第44-46页 |
| 4.2.1 实验材料及设备 | 第44-45页 |
| 4.2.2 实验过程 | 第45-46页 |
| 4.3 材料表征 | 第46-51页 |
| 4.3.1 扫描电子显微镜表征 | 第47-49页 |
| 4.3.2 EDS能谱表征 | 第49-50页 |
| 4.3.3 拉曼光谱表征 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 总结 | 第54-55页 |
| 5.2 展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 作者简介 | 第64页 |
