| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 硫系玻璃半导体材料 | 第9-13页 |
| 1.1.1 研究现状 | 第10页 |
| 1.1.2 简介及特点 | 第10-11页 |
| 1.1.3 硫系玻璃的应用 | 第11-13页 |
| 1.2 过渡金属掺杂硫系玻璃半导体材料 | 第13-17页 |
| 1.2.1 简介及特点 | 第13-14页 |
| 1.2.2 研究现状及方向 | 第14-17页 |
| 1.3 半导体薄膜沉积技术 | 第17-20页 |
| 1.3.1 脉冲激光沉积 | 第17-18页 |
| 1.3.2 磁控溅射沉积 | 第18页 |
| 1.3.3 其它沉积技术 | 第18-20页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第20-23页 |
| 第2章 纳米薄膜理论基础 | 第23-27页 |
| 2.1 脉冲激光沉积 | 第23-24页 |
| 2.1.1 激光烧蚀模型 | 第23页 |
| 2.1.2 等离子体输运 | 第23-24页 |
| 2.1.3 薄膜沉积形成 | 第24页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第24-25页 |
| 2.3 基本原理分析 | 第25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-27页 |
| 第3章 实验原理及表征方法 | 第27-37页 |
| 3.1 陶瓷靶材制备 | 第27-28页 |
| 3.1.1 固相反应烧结法基本原理 | 第27页 |
| 3.1.2 靶材制备流程 | 第27-28页 |
| 3.2 纳米薄膜制备 | 第28-31页 |
| 3.2.1 脉冲激光沉积法基本原理 | 第28-30页 |
| 3.2.2 脉冲激光沉积系统 | 第30-31页 |
| 3.2.3 ZnS:Co/ZnSe:Co薄膜制备的实验流程 | 第31页 |
| 3.3 表征方法及原理 | 第31-35页 |
| 3.3.1 薄膜厚度测试 | 第31-32页 |
| 3.3.2 X射线衍射测试 | 第32-33页 |
| 3.3.3 表面形貌测试 | 第33页 |
| 3.3.4 透射光谱测试 | 第33-34页 |
| 3.3.5 拉曼光谱测试 | 第34页 |
| 3.3.6 荧光光谱测试 | 第34页 |
| 3.3.7 霍尔效应测试 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第4章 ZnS:Co/ZnSe:Co陶瓷靶材制备及表征 | 第37-43页 |
| 4.1 ZnS:Co/ZnSe:Co陶瓷靶材制备 | 第37-38页 |
| 4.2 ZnS:Co和ZnSe:Co靶材陶瓷靶材性能表征 | 第38-40页 |
| 4.2.1 XRD测试 | 第38-39页 |
| 4.2.2 Raman光谱分析 | 第39-40页 |
| 4.2.3 光致发光检测 | 第40页 |
| 4.3 本章小结 | 第40-43页 |
| 第5章 沉积参数对ZnS:Co和ZnSe:Co薄膜性质的影响 | 第43-61页 |
| 5.1 ZnS:Co薄膜的制备 | 第43-44页 |
| 5.2 ZnS:Co薄膜的表征测试 | 第44-52页 |
| 5.2.1 薄膜厚度 | 第44-45页 |
| 5.2.2 红外透射 | 第45-48页 |
| 5.2.3 X射线衍射 | 第48-50页 |
| 5.2.4 霍尔效应 | 第50-52页 |
| 5.3 ZnSe:Co薄膜的表征测试 | 第52-60页 |
| 5.3.1 表面形貌 | 第52页 |
| 5.3.2 薄膜厚度 | 第52-53页 |
| 5.3.3 红外透射 | 第53-56页 |
| 5.3.4 X射线衍射 | 第56-58页 |
| 5.3.5 霍尔效应 | 第58-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 攻读硕士期间所发表的论文 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
