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基于非易失存储器的主存关键技术研究

摘要第3-4页
abstract第4-5页
第1章 引言第11-27页
    1.1 研究背景和意义第11-15页
    1.2 非易失存储器件概述第15-22页
        1.2.1 相变存储器第15-18页
        1.2.2 赛道存储器第18-22页
    1.3 研究内容和主要贡献第22-27页
        1.3.1 研究内容第22-24页
        1.3.2 主要贡献第24-26页
        1.3.3 论文组织结构第26-27页
第2章 相关工作第27-35页
    2.1 基于非易失存储器件的主存体系结构第27-30页
        2.1.1 仅由非易失存储器件构建主存第27-28页
        2.1.2 DRAM-NVM混合主存结构第28-29页
        2.1.3 DRAM作为NVM缓存的主存结构第29-30页
    2.2 基于非易失主存的数据加解密技术第30-31页
    2.3 基于非易失存储器的主存构建技术第31-32页
    2.4 基于混合主存结构的数据分布策略第32-35页
第3章 PTL:基于移位操作的赛道存储器加解密方法第35-51页
    3.1 概述第35-36页
    3.2 研究背景和动机第36-39页
        3.2.1 弹簧锁和移位加密机制第36-37页
        3.2.2 随机数生成器和Feistel网络第37-38页
        3.2.3 研究动机第38-39页
    3.3 PTL加密机制设计第39-44页
        3.3.1 攻击模型第40页
        3.3.2 加密区和密钥第40-41页
        3.3.3 冗余数据位第41-42页
        3.3.4 读写操作的实现第42-43页
        3.3.5 安全性分析第43-44页
    3.4 实验和性能评估第44-50页
        3.4.1 实验环境第44-45页
        3.4.2 实验准备第45页
        3.4.3 性能开销评估第45-46页
        3.4.4 密钥宽度对性能开销的影响第46-47页
        3.4.5 能耗开销评估第47-48页
        3.4.6 密钥宽度对能耗开销的影响第48页
        3.4.7 存储开销评估第48-49页
        3.4.8 面积开销评估第49-50页
    3.5 本章小结第50-51页
第4章 HMU:基于混合结构的赛道存储器设计优化方法第51-66页
    4.1 概述第51-52页
    4.2 研究背景和动机第52页
    4.3 设计和模拟方法第52-53页
    4.4 结构层的评估第53-57页
        4.4.1 宏单元结构概述第54页
        4.4.2 面积效率和操作延迟的评估第54-56页
        4.4.3 面积效率和操作能耗的评估第56页
        4.4.4 能量泄露和端口共享度的评估第56-57页
        4.4.5 关于相关领域的结构选型第57页
    4.5 系统层的评估第57-65页
        4.5.1 实验配置第57-58页
        4.5.2 性能评估第58-59页
        4.5.3 典型单元结构的性能评估第59-60页
        4.5.4 典型单元结构的能耗评估第60-61页
        4.5.5 混合端口结构优化第61-65页
    4.6 本章小结第65-66页
第5章 SIRM:基于移位不敏感的赛道存储器主存优化方法第66-83页
    5.1 概述第66-67页
    5.2 研究背景和动机第67-69页
        5.2.1 赛道存储器的结构灵活性第67页
        5.2.2 传统主存组织结构第67-68页
        5.2.3 子阵列级并行第68页
        5.2.4 研究动机第68-69页
    5.3 基于赛道存储器的主存设计第69-77页
        5.3.1 器件层设计第69-71页
        5.3.2 阵列层设计第71-72页
        5.3.3 主存结构设计第72-73页
        5.3.4 子阵列并行设计第73-74页
        5.3.5 移位不敏感的地址映射第74-76页
        5.3.6 子阵列并行的时序第76-77页
    5.4 实验和性能评估第77-82页
        5.4.1 实验环境第77-78页
        5.4.2 性能评估第78-79页
        5.4.3 能耗评估第79页
        5.4.4 子阵列大小敏感性分析第79-81页
        5.4.5 系统层评估第81-82页
    5.5 本章小结第82-83页
第6章 OSDD:基于数据段感知的DRAM-PCM混合主存数据分布方法第83-102页
    6.1 概述第83-84页
    6.2 研究背景和动机第84-89页
        6.2.1 内存逻辑地址空间第84-85页
        6.2.2 传统内存管理机制第85-86页
        6.2.3 应用程序内存访问特点第86-88页
        6.2.4 研究动机第88-89页
    6.3 系统设计和实现第89-96页
        6.3.1 DRAM-PCM混合主存第89-90页
        6.3.2 地址空间映射策略第90-92页
        6.3.3 内存分配的实现第92-93页
        6.3.4 PCM磨损均衡策略第93-96页
    6.4 实验和性能评估第96-100页
        6.4.1 实验环境第96-97页
        6.4.2 实验负载第97页
        6.4.3 能耗节省第97-98页
        6.4.4 性能开销第98-99页
        6.4.5 存储开销第99页
        6.4.6 内存访问频率方差的影响第99-100页
    6.5 本章小结第100-102页
第7章 总结与展望第102-107页
    7.1 论文的主要工作第103-104页
    7.2 未来研究展望第104-107页
参考文献第107-116页
致谢第116-120页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第120-121页

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