| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| ·引言 | 第10-13页 |
| ·相变存储材料的研究历史 | 第11-12页 |
| ·相变存储的机理 | 第12-13页 |
| ·相变存储材料国内外研究现状 | 第13-16页 |
| ·相变存储材料的基础研究 | 第13-15页 |
| ·相变存储材料的结构设计 | 第15-16页 |
| ·相变存储材料的制备方法 | 第16-21页 |
| ·晶体的制备 | 第16-19页 |
| ·非晶的制备 | 第19-21页 |
| ·本课题的研究目的和内容 | 第21-23页 |
| 第二章 实验设备 | 第23-28页 |
| ·实验试剂和设备 | 第23页 |
| ·实验试剂 | 第23页 |
| ·实验设备 | 第23页 |
| ·材料表征设备 | 第23-28页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第24页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第24-25页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第25-26页 |
| ·热重-差热分析(TG-DSC) | 第26页 |
| ·紫外-可见光谱(UV) | 第26页 |
| ·拉曼光谱(Raman) | 第26-28页 |
| 第三章 Sb_2Te_3材料的制备和表征 | 第28-36页 |
| ·实验部分 | 第28-29页 |
| ·试剂与仪器 | 第28页 |
| ·实验过程 | 第28-29页 |
| ·结果与讨论 | 第29-33页 |
| ·生长机理分析 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 Ge_(15)Bi_(38)Se_(47)的制备和表征 | 第36-41页 |
| ·实验部分 | 第36-38页 |
| ·原料 | 第36-37页 |
| ·Ge_(15)Bi_(38)Se_(47)材料制备 | 第37-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 基于Ge_(15)Bi_(38)Se_(47)、Sb_2Te_3的相变存储器的有限元传热学分析 | 第41-57页 |
| ·有限元方法 | 第41-46页 |
| ·有限元方法原理 | 第41-43页 |
| ·有限元方法在热分析中的应用 | 第43-46页 |
| ·相变存储器工作原理 | 第46-48页 |
| ·基于Ge_(15)Bi_(38)Se_(47)的相变存储器的有限元传热学分析 | 第48-53页 |
| ·相变存储器基本存储单元 | 第48-49页 |
| ·基于Ge_(15)Bi_(38)Se_(47)的相变存储器数学模型 | 第49页 |
| ·基于Ge_(15)Bi_(38)Se_(47)的相变存储器有限元传热学分析 | 第49-52页 |
| ·基于Ge_(15)Bi_(38)Se_(47)的相变存储器和传统GST存储器SET、RESET温度比较 | 第52-53页 |
| ·基于Sb_2Te_3的相变存储器的有限元传热学分析 | 第53-57页 |
| ·基于Sb_2Te_3的相变存储器数学模型 | 第53页 |
| ·有限元传热学分析 | 第53-56页 |
| ·基于基于Sb_2Te_3的相变存储器和其他相变存储器SET、RESET温度比较 | 第56-57页 |
| 第六章 总结与展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第63页 |
