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SiC零件的激光选区烧结及反应烧结后处理工艺关键技术研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第10-21页
    1.1 激光选区烧结成形技术第10-12页
    1.2 激光选区烧结成形陶瓷材料的研究现状第12-13页
    1.3 碳化硅材料及其成形方法的国内外研究现状第13-16页
    1.4 反应烧结碳化硅材料的研究现状第16-18页
    1.5 课题来源、目的和研究意义第18-19页
    1.6 主要研究内容第19-21页
2 SLS/RBCS复合工艺及粉末制备第21-36页
    2.1 SLS/RBCS复合工艺第21-23页
    2.2 复合粉末制备第23-29页
    2.3 实验主要设备第29-31页
    2.4 性能指标及测量方法第31-35页
    2.5 本章小结第35-36页
3 碳化硅的激光选区烧结成形工艺研究第36-53页
    3.1 SLS成形工艺第36-50页
    3.2 成形件缺陷以及对后处理的影响第50-51页
    3.3 本章小结第51-53页
4 反应烧结后处理工艺研究第53-69页
    4.1 中温碳化第53-58页
    4.2 高温渗硅第58-68页
    4.3 本章小结第68-69页
5 结论和展望第69-71页
    5.1 全文总结第69-70页
    5.2 未来展望第70-71页
致谢第71-72页
参考文献第72-78页
附录1 攻读硕士学位期间发表论文的目录第78-79页
附录2 攻读硕士学位期间撰写专利的目录第79页

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