| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 磷烯及单硫族化合物的实验制备 | 第8-10页 |
| 1.2.1 磷烯的实验制备 | 第9页 |
| 1.2.2 SnSe晶体的实验制备 | 第9-10页 |
| 1.2.3 GeSe晶体的实验制备 | 第10页 |
| 1.3 磷烯及单硫族化合物的研究现状 | 第10-14页 |
| 1.3.1 磷烯的研究现状 | 第10-11页 |
| 1.3.2 单层SnSe研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3.3 单层GeSe研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3.4 黑磷其他方面研究 | 第13-14页 |
| 1.4 单层SiSe研究现状 | 第14页 |
| 1.5 本文研究主要内容 | 第14-16页 |
| 第2章 理论基础和计算方法 | 第16-21页 |
| 2.1 第一性原理简介 | 第16页 |
| 2.2 密度泛函介绍 | 第16-18页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第17页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第17-18页 |
| 2.3 交换关联泛函 | 第18-19页 |
| 2.4 范德瓦耳斯力 | 第19-20页 |
| 2.5 VASP软件包 | 第20-21页 |
| 第3章 应变作用下单层硒化硅的电子结构研究 | 第21-38页 |
| 3.1 引言 | 第21页 |
| 3.2 计算方法与参数 | 第21-22页 |
| 3.3 计算结果和讨论 | 第22-37页 |
| 3.3.1 单层SiSe结构稳定性及电子性质 | 第22-25页 |
| 3.3.2 单层SiSe扶手型方向施加应变研究结果 | 第25-28页 |
| 3.3.3 单层SiSe锯齿型方向施加应变研究结果 | 第28-31页 |
| 3.3.4 单层SiSe双轴施加应变研究结果 | 第31-37页 |
| 3.4 小结 | 第37-38页 |
| 第4章 总结与展望 | 第38-40页 |
| 4.1 本文总结 | 第38页 |
| 4.2 工作展望 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第47页 |