摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
插图索引 | 第10-11页 |
附表索引 | 第11-12页 |
第1章 绪论 | 第12-21页 |
·材料中氦行为的研究历史和现状 | 第12-15页 |
·材料中氦的基本特性 | 第15-18页 |
·材料中He的各种能量参数 | 第16页 |
·材料中He原子的迁移机制 | 第16-17页 |
·氦泡的形成和长大机制 | 第17-18页 |
·材料中氦行为的研究方法 | 第18-20页 |
·实验方法 | 第18-19页 |
·理论方法 | 第19-20页 |
·本文研究工作的意义、内容和方法 | 第20-21页 |
第2章 基本理论方法 | 第21-34页 |
·引言 | 第21页 |
·密度泛函理论 | 第21-27页 |
·绝热近似 | 第21-22页 |
·Hatree-Fock近似 | 第22-23页 |
·Hohenberg-Kohn近似 | 第23-24页 |
·Kohn-Sham方程 | 第24-25页 |
·局域密度近似和广义梯度近似 | 第25-27页 |
·赝势理论 | 第27-29页 |
·超软赝势(USPP)和投影缀加平面波(PAW)方法 | 第28-29页 |
·周期性边界条件 | 第29-31页 |
·三维完整晶格 | 第29-30页 |
·Bloch定理 | 第30页 |
·平面波基组 | 第30-31页 |
·VASP程序软件包介绍 | 第31-33页 |
·VASP的主要输入文件 | 第32页 |
·VASP的主要输出文件 | 第32-33页 |
·本章小结 | 第33-34页 |
第3章 钯中点缺陷和氦-空位(He_mV_n)小团簇 | 第34-46页 |
·引言 | 第34-35页 |
·计算方法介绍 | 第35-36页 |
·计算结果及其分析 | 第36-44页 |
·点缺陷和完整钯晶格 | 第36-37页 |
·间隙氦原子的迁移 | 第37-39页 |
·氦-空位团簇的形成能、结合能、解离能 | 第39-42页 |
·态密度分析 | 第42-43页 |
·电荷密度分析 | 第43-44页 |
·本章小结 | 第44-46页 |
第4章 钯氚化物中的氦行为 | 第46-57页 |
·引言 | 第46页 |
·计算方法介绍 | 第46-47页 |
·计算结果及其分析 | 第47-56页 |
·完整晶体钯和氢分子 | 第47-48页 |
·钯中氢缺陷和氦缺陷 | 第48-51页 |
·钯及其氚化物中氚衰变前后态密度的对比分析 | 第51-54页 |
·单空位对钯中氢-氦对行为的影响 | 第54-56页 |
·本章小结 | 第56-57页 |
结论 | 第57-59页 |
参考文献 | 第59-68页 |
附录A (攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第68-69页 |
致谢 | 第69页 |