| 摘要 | 第2-3页 |
| ABSTRACT | 第3页 |
| 第一章 绪论 | 第7-21页 |
| 1.1 光催化材料及其机理 | 第7-9页 |
| 1.1.1 光催化材料发展历史 | 第7-8页 |
| 1.1.2 光催化的机理 | 第8-9页 |
| 1.2 二氧化铈背景及其简介 | 第9-14页 |
| 1.2.1 二氧化铈的简介 | 第9-10页 |
| 1.2.2 二氧化铈纳米材料的制备及其形貌控制 | 第10-12页 |
| 1.2.3 二氧化铈纳米材料性能与其应用 | 第12-14页 |
| 1.3 G-C_3N_4背景及其简介 | 第14-19页 |
| 1.3.1 g-C_3N_4的简介 | 第14-16页 |
| 1.3.2 g-C_3N_4的制备 | 第16-17页 |
| 1.3.3 g-C_3N_4的光催化应用 | 第17-19页 |
| 1.3.3.1 光催化分解有机污染物 | 第17-18页 |
| 1.3.3.2 光催化水分解制备氢气和氧气 | 第18页 |
| 1.3.3.3 复合改性提高光催化性能 | 第18-19页 |
| 1.4 本文研的究内容和创新点 | 第19-21页 |
| 1.4.1 本文的研究内容 | 第19-20页 |
| 1.4.2 本文的创新点 | 第20-21页 |
| 第二章 实验部分 | 第21-28页 |
| 2.1 实验原料及仪器 | 第21-23页 |
| 2.2 实验表征 | 第23-25页 |
| 2.2.1 X射线粉末衍射(XRD) | 第23页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(FESEM) | 第23页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜(TEM) | 第23页 |
| 2.2.4 比表面积测定(BET) | 第23页 |
| 2.2.5 紫外光谱可见光谱(UV-vis) | 第23-24页 |
| 2.2.6 拉曼光谱(RAMAN) | 第24页 |
| 2.2.7 X射线光电子能谱(XPS) | 第24-25页 |
| 2.3 实验步骤 | 第25-28页 |
| 2.3.1 CeO_2材料的制备 | 第25页 |
| 2.3.2 g-C_3N_4的合成 | 第25-26页 |
| 2.3.3 CeO_2/g-C_3N_4共混复合材料制备 | 第26页 |
| 2.3.4 光催化性能的评估 | 第26-27页 |
| 2.3.5 光电流性能的测定 | 第27-28页 |
| 第三章 二氧化铈形貌控制及其光催化性能测定 | 第28-48页 |
| 3.1 前言 | 第28-29页 |
| 3.2 二氧化铈材料的合成 | 第29-47页 |
| 3.2.1 八面体二氧化铈 | 第29-32页 |
| 3.2.1.1 反应设计 | 第29页 |
| 3.2.1.2 SEM和TEM表征 | 第29-31页 |
| 3.2.1.3 XRD表征 | 第31-32页 |
| 3.2.2 钇掺杂海胆状二氧化铈 | 第32-35页 |
| 3.2.2.1 反应设计 | 第32页 |
| 3.2.2.2 SEM表征 | 第32-33页 |
| 3.2.2.3 XRD表征 | 第33-34页 |
| 3.2.2.4 EDX和Mapping表征 | 第34-35页 |
| 3.2.3 介孔空心二氧化铈 | 第35-47页 |
| 3.2.3.1 合成条件的探索 | 第35-38页 |
| 3.2.3.2 XRD表征 | 第38-39页 |
| 3.2.3.3 SEM和TEM表征 | 第39-41页 |
| S.2.4.4 BET 表征 | 第41-42页 |
| 3.2.3.5 光催化性能的研究 | 第42-43页 |
| 3.2.3.6 UV-vis表征 | 第43-44页 |
| 3.2.3.7 RAMAN表征 | 第44-45页 |
| 3.2.3.8 XPS表征 | 第45-46页 |
| 3.2.3.9 LSV表征 | 第46-47页 |
| 3.3 实验结论 | 第47-48页 |
| 第四章 二氧化铈/类石墨烯共混复合材料及其光催化性能测定 | 第48-54页 |
| 4.1 前言 | 第48-49页 |
| 4.2 TEM和SEM的表征 | 第49-50页 |
| 4.3 XRD的表征 | 第50-51页 |
| 4.4 UV-VIS的表征 | 第51-52页 |
| 4.5 活性评价 | 第52-53页 |
| 4.6 光催化机理分析 | 第53页 |
| 4.7 实验结论 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-55页 |
| 5.1 本文主要结论 | 第54页 |
| 5.2 展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-63页 |
| 攻读学位期间发表的文章与参加会议 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |