| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 阻变储器研究的目的和意义 | 第9页 |
| 1.2 非易失性存储器简介 | 第9-13页 |
| 1.3 国内外现状简析 | 第13-16页 |
| 1.3.1 阻变存储器国内研究现状 | 第13页 |
| 1.3.2 阻变存储器国外研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3.3 国内外文献综述简析 | 第14-16页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 阻变存储器制备技术及表征方法 | 第17-20页 |
| 2.1 制备方法 | 第17-18页 |
| 2.1.1 磁控溅射原理 | 第17页 |
| 2.1.2 实验中用到的材料 | 第17-18页 |
| 2.2 薄膜表征 | 第18-19页 |
| 2.2.1 X射线衍射 | 第18页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第18页 |
| 2.2.3 原子力显微扫描电镜 | 第18页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱分析 | 第18-19页 |
| 2.3 存储器电学测试方法 | 第19-20页 |
| 第3章Al/Cu_xO/Cu结构阻变存储器研究 | 第20-51页 |
| 3.1 RRAM基本结构 | 第20页 |
| 3.2 薄膜制备和表征 | 第20-44页 |
| 3.2.1 Cu下电极薄膜的工艺参数优化 | 第20-30页 |
| 3.2.2 CuxO薄膜的制备 | 第30-44页 |
| 3.2.3 Al上电极薄膜的制备 | 第44页 |
| 3.3 Al/Cu_xO/Cu型RRAM电学特性 | 第44-50页 |
| 3.3.1 双极性(bipolar)阻变现象及机制分析 | 第44-47页 |
| 3.3.2 阻变器件稳定性测试 | 第47-48页 |
| 3.3.3 Cu_xO薄膜成分对SET电压和RESET电压的影响 | 第48-49页 |
| 3.3.4 Cu_xO薄膜晶粒大小对高低阻态阻值的影响 | 第49-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章Al/ZnO/Cu结构阻变存储器研究 | 第51-66页 |
| 4.1 器件结构 | 第51页 |
| 4.2 ZnO阻变层薄膜的制备及表征 | 第51-61页 |
| 4.2.1 氩氧比对ZnO薄膜的影响 | 第51-55页 |
| 4.2.2 功率溅射功率对ZnO薄膜的影响 | 第55-58页 |
| 4.2.3 溅射压强对ZnO薄膜的影响 | 第58-61页 |
| 4.3 ZnO基阻变存储器电学特性 | 第61-65页 |
| 4.3.1 ZnO基阻变存储器双极性阻变现象 | 第61-63页 |
| 4.3.2 Al/ZnO/Cu型阻变存储器耐久度分析 | 第63页 |
| 4.3.3 ZnO晶粒大小对SET电压和高低阻态阻值的影响 | 第63-64页 |
| 4.3.4 表面粗糙度对SET电压和高低阻态阻值的影响 | 第64-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第5章Al/CuO/ZnO/Cu结构阻变存储器研究 | 第66-70页 |
| 5.1 Al/CuO/ZnO/Cu结构RRAM制备 | 第66页 |
| 5.2 电学特性 | 第66-69页 |
| 5.3 本章小结 | 第69-70页 |
| 结论 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
