| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 毫米波GaN基HEMT器件的研究背景和研究意义 | 第9-11页 |
| 1.2 GaN HEMT器件小信号模型研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 GaN HEMT器件工作原理和小信号建模基本理论 | 第16-27页 |
| 2.1 GaN HEMT器件工作原理 | 第16-22页 |
| 2.1.1 GaN HEMT器件中的极化效应 | 第16-17页 |
| 2.1.2 异质结中的二维电子气 | 第17-18页 |
| 2.1.3 GaN HEMT器件基本制作流程和相关电学参数 | 第18-22页 |
| 2.2 GaN HEMT器件小信号建模基本理论 | 第22-27页 |
| 2.2.1 微波网络S参数 | 第22-24页 |
| 2.2.2 微波测试校准技术 | 第24-25页 |
| 2.2.3 虚拟测试结构 | 第25-27页 |
| 第三章 90 nm栅长AlGaN/GaN HEMTs小信号建模和参数提取 | 第27-50页 |
| 3.1 90nm栅长AlGaN/GaN HEMTs测试数据分析 | 第27-34页 |
| 3.1.1 AlGaN/GaN HEMT样品制备 | 第27-28页 |
| 3.1.2 AlGaN/GaN HEMT直流和微波测试数据分析 | 第28-34页 |
| 3.1.3 台面刻蚀效应 | 第34页 |
| 3.2 小信号等效电路模型建立 | 第34-37页 |
| 3.3 小信号等效电路模型参数提取 | 第37-45页 |
| 3.3.1 寄生电容参数的提取 | 第37-39页 |
| 3.3.2 寄生电感和寄生电阻的提取 | 第39-42页 |
| 3.3.3 本征参数的提取 | 第42-45页 |
| 3.3.4 CMEE的提取 | 第45页 |
| 3.4 模型仿真与验证 | 第45-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 InAlN/GaN HEMTs小信号建模和参数提取 | 第50-57页 |
| 4.1 InAlN/GaN HEMT测试数据分析 | 第50-55页 |
| 4.1.1 InAlN/GaN HEMT样品制备 | 第50页 |
| 4.1.2 InAlN/GaN HEMT直流和微波测试数据分析 | 第50-55页 |
| 4.2 小信号等效电路模型参数提取 | 第55-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结和展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第65-66页 |
