| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 耐压技术研究现状 | 第11-15页 |
| 1.2.1 横向耐压技术 | 第11-13页 |
| 1.2.2 纵向耐压技术 | 第13-15页 |
| 1.3 本文的工作 | 第15-17页 |
| 第二章 薄层SOI高压器件耐压机理 | 第17-30页 |
| 2.1 SOI LDMOS耐压机理 | 第17-19页 |
| 2.1.1 器件击穿机理 | 第17页 |
| 2.1.2 SOI LDMOS耐压分析 | 第17-19页 |
| 2.2 RESURF技术 | 第19-25页 |
| 2.2.1 体硅器件RESURF原理 | 第19-23页 |
| 2.2.1.1 体硅器件Single RESURF原理 | 第20-22页 |
| 2.2.1.2 体硅器件Double RESURF原理 | 第22-23页 |
| 2.2.2 SOI器件RESURF原理 | 第23-25页 |
| 2.3 场板技术 | 第25-26页 |
| 2.4 横向变掺杂技术 | 第26-28页 |
| 2.5 本章总结 | 第28-30页 |
| 第三章 300V薄层SOI LVD p LDMOS器件 | 第30-43页 |
| 3.1 两种SOI pLDMOS关断特性仿真方法 | 第31-32页 |
| 3.2 传统仿真方法设计 | 第32-35页 |
| 3.2.1 漂移区注入剂量对器件击穿特性的影响 | 第32-33页 |
| 3.2.2 场板对器件击穿特性的影响 | 第33-35页 |
| 3.3 针对固定电压应用的仿真方法设计 | 第35-38页 |
| 3.3.1 漂移区注入剂量对器件击穿特性的影响 | 第35-37页 |
| 3.3.2 场板对器件击穿特性的影响 | 第37-38页 |
| 3.4 两种仿真方法的比较 | 第38-41页 |
| 3.4.1 两种仿真方法下电势及电场分布 | 第38-39页 |
| 3.4.2 两种仿真方法下漂移区注入剂量优化 | 第39-41页 |
| 3.5 背栅对器件击穿特性的影响 | 第41-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 200V薄层SOI pLDMOS器件 | 第43-53页 |
| 4.1 背栅穿通击穿机理 | 第43-45页 |
| 4.2 200V薄层SOI p LDMOS仿真 | 第45-52页 |
| 4.2.1 埋氧层与顶层硅厚度对击穿特性影响 | 第46-48页 |
| 4.2.2 场板对击穿特性的影响 | 第48-50页 |
| 4.2.3 漂移区浓度对击穿特性的影响 | 第50-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 薄层SOI pLDMOS实验研究 | 第53-64页 |
| 5.1 300V薄层SOI LVD pLDMOS工艺流程及版图设计 | 第53-58页 |
| 5.1.1 工艺流程 | 第53-55页 |
| 5.1.2 版图设计 | 第55-58页 |
| 5.2 200V薄层SOI p LDMOS工艺流程及版图设计 | 第58-63页 |
| 5.2.1 工艺流程 | 第58-60页 |
| 5.2.2 版图设计 | 第60-61页 |
| 5.2.3 实验结果 | 第61-63页 |
| 5.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 总结 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
