| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 纳米材料 | 第10-12页 |
| 1.1.1 Cu 纳米薄膜 | 第11页 |
| 1.1.2 半导体纳米薄膜 | 第11-12页 |
| 1.2 稀土元素 | 第12-15页 |
| 1.2.1 稀土元素概述 | 第12-13页 |
| 1.2.2 稀土元素性质与分类 | 第13页 |
| 1.2.3 稀土元素的应用 | 第13-14页 |
| 1.2.4 SnO_2的稀土掺杂 | 第14-15页 |
| 1.3 选题背景及研究内容 | 第15-17页 |
| 1.3.1 选题依据 | 第15页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 薄膜生长和气敏研究理论基础 | 第17-25页 |
| 2.1 纳米薄膜的制作 | 第17-18页 |
| 2.2 双离子束溅射沉积理论 | 第18-21页 |
| 2.2.1 双离子束溅射薄膜原理 | 第18-19页 |
| 2.2.2 离子束溅射粒子的基本性质 | 第19页 |
| 2.2.3 离子束轰击引起的效应 | 第19-21页 |
| 2.2.4 薄膜晶体结构的生长和演变 | 第21页 |
| 2.3 热蒸发方法工作原理 | 第21-22页 |
| 2.4 气敏测试理论 | 第22-24页 |
| 2.4.1 气敏传感器概述 | 第22-23页 |
| 2.4.2 半导体气敏传感器 | 第23-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 Cu 纳米薄膜的制备及表征 | 第25-33页 |
| 3.1 Cu 纳米薄膜的制备 | 第25-26页 |
| 3.1.1 实验前期准备 | 第25页 |
| 3.1.2 实验过程 | 第25-26页 |
| 3.1.3 溅射结束 | 第26页 |
| 3.2 Cu 纳米薄膜表面的研究 | 第26-32页 |
| 3.2.1 薄膜表面形貌和分析 | 第26-29页 |
| 3.2.2 沉积薄膜生长机理的研究 | 第29-31页 |
| 3.2.3 Cu 纳米薄膜实验结论 | 第31-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 二氧化锡及其稀土 La~(3+)、Ce~(3+)掺杂纳米带的气敏性质研究 | 第33-52页 |
| 4.1 掺杂 SnO_2和纯净 SnO_2纳米元件的制备 | 第33-36页 |
| 4.1.1 掺杂的 SnO_2纳米带与纯净 SnO_2纳米带的制备 | 第33-34页 |
| 4.1.2 掺杂 SnO_2纳米带与纯净 SnO_2纳米带的气敏元件制作 | 第34-36页 |
| 4.2 气敏元件的测试 | 第36-37页 |
| 4.3 La~(3+)掺杂的 SnO_2纳米带 | 第37-45页 |
| 4.3.1 La~(3+)掺杂 SnO_2薄膜的形貌分析 | 第37-40页 |
| 4.3.2 La~(3+)掺杂 SnO_2纳米带的气敏性质 | 第40-45页 |
| 4.4 Ce~(3+)掺杂 SnO_2纳米带 | 第45-50页 |
| 4.4.1 Ce~(3+)掺杂 SnO_2薄膜的形貌分析 | 第45-47页 |
| 4.4.2 Ce~(3+)掺杂 SnO_2纳米带的气敏性质 | 第47-50页 |
| 4.5 掺杂对于气敏提高的理论 | 第50页 |
| 4.6 本章小结 | 第50-52页 |
| 第5章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 论文总结 | 第52-53页 |
| 5.2 工作展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及参与基金 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
