摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-11页 |
第一章 绪论 | 第11-40页 |
·引言 | 第11-12页 |
·p型透明导电氧化物薄膜的研究现状 | 第12-29页 |
·AMO_2铜铁矿基材料 | 第12-15页 |
·SrCu_2O_2材料 | 第15-16页 |
·层状结构的氧硫族化合物 | 第16-17页 |
·主族二元氧化物p型掺杂 | 第17-20页 |
·氧化镍p型透明导电薄膜 | 第20-21页 |
·透明氧化物薄膜二极管 | 第21-24页 |
·p型氧化物沟道层TFT | 第24-27页 |
·小结与展望 | 第27-29页 |
·本课题的主要研究思路与内容 | 第29-30页 |
参考文献 | 第30-40页 |
第二章 薄膜制备及表征方法 | 第40-51页 |
·制备方法 | 第40-44页 |
·脉冲等离子体沉积 | 第40-42页 |
·直流反应磁控溅射 | 第42-44页 |
·真空热蒸镀 | 第44页 |
·性能测试与表征 | 第44-50页 |
·薄膜厚度测试 | 第44-45页 |
·薄膜微结构分析测试及原理 | 第45-47页 |
·薄膜电学性能测试 | 第47-49页 |
·薄膜光学性能测试 | 第49页 |
·二极管电学性能测试 | 第49-50页 |
参考文献 | 第50-51页 |
第三章 掺铜氧化镍薄膜的研究 | 第51-71页 |
·引言 | 第51页 |
·沉积靶材的制备 | 第51-53页 |
·薄膜的制备与性能研究 | 第53-68页 |
·掺杂浓度对薄膜性能的影响 | 第53-56页 |
·工作气压对薄膜性能的影响 | 第56-59页 |
·制备温度对薄膜性能的影响 | 第59-67页 |
·烧蚀功率对薄膜性能的影响 | 第67-68页 |
·本章小结 | 第68-69页 |
参考文献 | 第69-71页 |
第四章 掺钾氧化镍薄膜的研究 | 第71-83页 |
·引言 | 第71页 |
·沉积靶材的制备 | 第71-72页 |
·薄膜的制备与表征 | 第72-81页 |
·薄膜的结构与表面形貌 | 第72-75页 |
·薄膜的电学性能 | 第75-79页 |
·薄膜的光学性能 | 第79-81页 |
·本章小结 | 第81-82页 |
参考文献 | 第82-83页 |
第五章 NiO基p型透明导电薄膜的第一性原理研究 | 第83-91页 |
·引言 | 第83页 |
·第一性原理计算与CASTEP软件 | 第83-85页 |
·理论模型构建与计算设置 | 第85-86页 |
·能带结构与态密度的计算结果与讨论 | 第86-89页 |
·本章小结 | 第89-90页 |
参考文献 | 第90-91页 |
第六章 透明氧化物p-NiCuO/n-IWO异质结的研究 | 第91-105页 |
·引言 | 第91-92页 |
·近红外高透射率多晶IWO透明薄膜底电极的制备与研究 | 第92-97页 |
·薄膜电极的结构与表面形貌 | 第92-95页 |
·薄膜电极的电学性能 | 第95-96页 |
·薄膜电极的光学性能 | 第96-97页 |
·n型透明氧化物半导体层IWO薄膜的制备与研究 | 第97-98页 |
·p-Ni_(0.9)Cu_(0.1)O/n-IWO异质结的性能研究 | 第98-101页 |
·薄膜二极管的制备 | 第98-99页 |
·异质结薄膜二极管的性质 | 第99-101页 |
·本章小结 | 第101-103页 |
参考文献 | 第103-105页 |
第七章 室温生长全透明非晶氧化物薄膜二极管 | 第105-123页 |
·引言 | 第105-106页 |
·非晶透明导电氧化物α-IWO薄膜电极的制备与研究 | 第106-112页 |
·α-IWO薄膜的电学性能 | 第107-109页 |
·α-IWO薄膜的光学性能 | 第109-110页 |
·α-IWO薄膜的表面形貌 | 第110-112页 |
·n型非晶透明氧化物半导体层α-IZO薄膜的制备与研究 | 第112-116页 |
·α-IZO薄膜的电学性能 | 第112-113页 |
·α-IZO薄膜的光学性能 | 第113-114页 |
·α-IZO薄膜的表面形貌 | 第114-116页 |
·薄膜二极管的制备与性能研究 | 第116-119页 |
·薄膜二极管的制备 | 第116-117页 |
·薄膜二极管的性能研究 | 第117-119页 |
·本章小结 | 第119-121页 |
参考文献 | 第121-123页 |
第八章 全文总结 | 第123-125页 |
附录 攻读博士学位期间科研成果一览 | 第125-127页 |
致谢 | 第127-129页 |