摘要 | 第11-12页 |
Abstract | 第12-13页 |
第一章 绪论 | 第14-45页 |
1.1 引言 | 第14-16页 |
1.2 薄膜锂离子电池研究进展 | 第16-17页 |
1.3 锂离子电池正极材料 | 第17-20页 |
1.3.1 层状LiMO_2 (M=Co,Ni) | 第17-19页 |
1.3.2 锰系正极材料 | 第19页 |
1.3.3 橄榄石LiMPO_4 | 第19-20页 |
1.4 锂离子电池负极材料的发展 | 第20-34页 |
1.4.1 碳负极材料 | 第20-22页 |
1.4.2 金属氧化物 | 第22页 |
1.4.3 锡基合金材料 | 第22-23页 |
1.4.4 Si基负极材料 | 第23-34页 |
1.4.4.1 脱嵌锂时Si晶体结构及表/界面的研究 | 第24-25页 |
1.4.4.2 纳米Si颗粒材料 | 第25-26页 |
1.4.4.3 低维纳米Si材料 | 第26-27页 |
1.4.4.4 多孔Si纳米材料 | 第27-28页 |
1.4.4.5 Si/C复合材料 | 第28-30页 |
1.4.4.6 Si合金材料 | 第30-31页 |
1.4.4.7 Si的氧化物材料 | 第31-32页 |
1.4.4.8 粘结剂和电解液 | 第32-34页 |
1.5 本论文的目的和研究计划 | 第34-35页 |
参考文献 | 第35-45页 |
第二章 仪器药品与试验方法 | 第45-53页 |
2.1 主要的化学试剂和材料 | 第45-46页 |
2.2 实验表征手段与仪器 | 第46-49页 |
2.2.1 磁控溅射技术 | 第46页 |
2.2.2 扫描电子显微镜 | 第46-47页 |
2.2.3 透射电子显微镜(TEM) | 第47页 |
2.2.4 X-射线粉末晶体衍射技术 | 第47-48页 |
2.2.5 X射线光电子能谱(XPS)测试 | 第48页 |
2.2.6 循环伏安技术 | 第48-49页 |
2.2.7 恒电流充放电测试 | 第49页 |
2.3 材料制备 | 第49-51页 |
2.3.1 材料合成的工艺及配方 | 第49-50页 |
2.3.2 电极片的制作流程 | 第50-51页 |
2.4 电池的组装 | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-53页 |
第三章 泡沫镍基硅薄膜负极材料的制备及性能研究 | 第53-65页 |
3.1 引言 | 第53页 |
3.2 实验部分 | 第53-55页 |
3.3 结果与讨论 | 第55-61页 |
3.3.1 三维网状结构硅薄膜材料的形貌表征 | 第55页 |
3.3.2 三维网状结构硅薄膜材料的XPS表征 | 第55-56页 |
3.3.3 三维网状结构硅薄膜材料的电化学性能 | 第56-59页 |
3.3.4 三维网状结构硅薄膜材料充放电完成后极片的SEM表征 | 第59-60页 |
3.3.5 三维网状结构硅薄膜材料充放电过程中的电化学阻抗 | 第60-61页 |
3.4 本章小结 | 第61-63页 |
参考文献 | 第63-65页 |
第四章 三维多孔基底负载Si薄膜材料的制备及性能研究 | 第65-89页 |
4.1 引言 | 第65-66页 |
4.2 实验部分 | 第66-67页 |
4.2.1 树叶状/针状CuO的制备 | 第66页 |
4.2.2 树叶状/针状多孔Cu的制备 | 第66-67页 |
4.2.3 树叶状/针状基底负载Si薄膜材料的制备 | 第67页 |
4.3 化学腐蚀制备三维多孔CuO的原理 | 第67-68页 |
4.4 树叶状多孔Cu制备的条件探索 | 第68-71页 |
4.5 结果和讨论 | 第71-84页 |
4.5.1 树叶状多孔基底负载Si薄膜材料的组成分析 | 第71-72页 |
4.5.2 树叶状多孔基底负载Si薄膜材料的电化学性能 | 第72-81页 |
4.5.3 针状多孔基底负载Si薄膜材料的性能研究 | 第81-84页 |
4.6 本章小结 | 第84-86页 |
参考文献 | 第86-89页 |
第五章 瓜尔豆胶作为Si基负极材料粘结剂的性能研究 | 第89-100页 |
5.1 前言 | 第89页 |
5.2 瓜尔豆胶的简介 | 第89-90页 |
5.2.1 瓜尔豆胶的性质 | 第89-90页 |
5.2.2 瓜尔豆胶的结构 | 第90页 |
5.3 电化学性能研究 | 第90-96页 |
5.3.1 粘结剂的质量分数为29% | 第90-93页 |
5.3.2 粘结剂的质量分数为15% | 第93-96页 |
5.5 本章小结 | 第96-98页 |
参考文献 | 第98-100页 |
第六章 结论和展望 | 第100-102页 |
作者攻读硕士期间发表的论文 | 第102-103页 |
致谢 | 第103页 |