硒化铅胶质量子点表面电学性质改性及霍尔效应仿真研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 半导体量子点特性及其应用进展 | 第9-12页 |
| 1.1.1 半导体量子点的量子特性 | 第9-10页 |
| 1.1.2 半导体量子点材料主要应用 | 第10-12页 |
| 1.2 半导体量子点霍尔元件 | 第12-14页 |
| 1.2.1 PbSe 胶体量子点霍尔元件 | 第12-13页 |
| 1.2.2 霍尔元件的仿真优化设计 | 第13-14页 |
| 1.3 本课题研究的主要内容与意义 | 第14-16页 |
| 第2章 基于硒化铅胶体量子点霍尔元件的理论基础 | 第16-23页 |
| 2.1 半导体量子点的光学特性 | 第16-17页 |
| 2.2 半导体量子点的电学特性 | 第17-19页 |
| 2.3 硒化铅量子点材料的发展概述 | 第19-21页 |
| 2.4 霍尔元件的研究现状及发展趋势 | 第21-23页 |
| 第3章 硒化铅量子点的合成、表征及特性分析 | 第23-31页 |
| 3.1 硒化铅量子点的合成 | 第23-25页 |
| 3.1.1 合成 PbSe QDs 的材料 | 第23-24页 |
| 3.1.2 PbSe QDs 的合成 | 第24-25页 |
| 3.2 硒化铅量子点的表征 | 第25-28页 |
| 3.3 硒化铅量子点的温度依赖特性 | 第28-31页 |
| 第4章 硒化铅量子点表面改性 | 第31-36页 |
| 4.1 硒化铅胶体量子点表面官能团处理 | 第31-32页 |
| 4.2 硒化铅胶体量子点表面电学特性改善 | 第32-34页 |
| 4.3 硒化铅胶体量子点材料的霍尔元件的制备 | 第34-36页 |
| 4.3.1 制备所需仪器设备 | 第34页 |
| 4.3.2 硒化铅霍尔元件的实验合成 | 第34-35页 |
| 4.3.3 硒化铅胶体量子点阵列式霍尔元件制作 | 第35-36页 |
| 第5章 硒化铅量子点霍尔元件的仿真优化设计 | 第36-46页 |
| 5.1 霍尔效应 | 第37页 |
| 5.2 基于 ANSYS 的霍尔元件仿真设计 | 第37-41页 |
| 5.2.1 霍尔元件模型的仿真分析 | 第38-39页 |
| 5.2.2 霍尔元件的参数对性能的影响分析 | 第39-41页 |
| 5.3 基于遗传算法的霍尔元件优化设计 | 第41-46页 |
| 5.3.1 遗传算法的优化设计原理 | 第41-42页 |
| 5.3.2 霍尔元件阵列的优化设计 | 第42-46页 |
| 第6章 结论与展望 | 第46-47页 |
| 6.1 总结 | 第46页 |
| 6.2 未来展望 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-58页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
