首页--数理科学和化学论文--物理学论文--半导体物理学论文--半导体理论论文--半导体量子理论论文

硒化铅胶质量子点表面电学性质改性及霍尔效应仿真研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-16页
    1.1 半导体量子点特性及其应用进展第9-12页
        1.1.1 半导体量子点的量子特性第9-10页
        1.1.2 半导体量子点材料主要应用第10-12页
    1.2 半导体量子点霍尔元件第12-14页
        1.2.1 PbSe 胶体量子点霍尔元件第12-13页
        1.2.2 霍尔元件的仿真优化设计第13-14页
    1.3 本课题研究的主要内容与意义第14-16页
第2章 基于硒化铅胶体量子点霍尔元件的理论基础第16-23页
    2.1 半导体量子点的光学特性第16-17页
    2.2 半导体量子点的电学特性第17-19页
    2.3 硒化铅量子点材料的发展概述第19-21页
    2.4 霍尔元件的研究现状及发展趋势第21-23页
第3章 硒化铅量子点的合成、表征及特性分析第23-31页
    3.1 硒化铅量子点的合成第23-25页
        3.1.1 合成 PbSe QDs 的材料第23-24页
        3.1.2 PbSe QDs 的合成第24-25页
    3.2 硒化铅量子点的表征第25-28页
    3.3 硒化铅量子点的温度依赖特性第28-31页
第4章 硒化铅量子点表面改性第31-36页
    4.1 硒化铅胶体量子点表面官能团处理第31-32页
    4.2 硒化铅胶体量子点表面电学特性改善第32-34页
    4.3 硒化铅胶体量子点材料的霍尔元件的制备第34-36页
        4.3.1 制备所需仪器设备第34页
        4.3.2 硒化铅霍尔元件的实验合成第34-35页
        4.3.3 硒化铅胶体量子点阵列式霍尔元件制作第35-36页
第5章 硒化铅量子点霍尔元件的仿真优化设计第36-46页
    5.1 霍尔效应第37页
    5.2 基于 ANSYS 的霍尔元件仿真设计第37-41页
        5.2.1 霍尔元件模型的仿真分析第38-39页
        5.2.2 霍尔元件的参数对性能的影响分析第39-41页
    5.3 基于遗传算法的霍尔元件优化设计第41-46页
        5.3.1 遗传算法的优化设计原理第41-42页
        5.3.2 霍尔元件阵列的优化设计第42-46页
第6章 结论与展望第46-47页
    6.1 总结第46页
    6.2 未来展望第46-47页
参考文献第47-58页
攻读硕士期间发表论文情况第58-59页
致谢第59页

论文共59页,点击 下载论文
上一篇:条纹模式的自适应稀疏滤波方法研究
下一篇:基于阳极氧化铝模板的二氧化钛微纳结构及其光电特性