摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第11-35页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 纳米材料特性 | 第11-13页 |
1.2.1 小尺寸效应 | 第12页 |
1.2.2 量子尺寸效应 | 第12页 |
1.2.3 宏观量子隧道效应 | 第12页 |
1.2.4 表面效应 | 第12-13页 |
1.2.5 库伦阻塞效应 | 第13页 |
1.3 SiC基本特性 | 第13-15页 |
1.4 SiC低维纳米材料的制备方法 | 第15-22页 |
1.4.1 高温热解法 | 第16-17页 |
1.4.2 模板法 | 第17页 |
1.4.3 溶胶凝胶法 | 第17-18页 |
1.4.4 水热/溶剂热法 | 第18-19页 |
1.4.5 化学气相沉积法 | 第19-20页 |
1.4.6 静电纺丝法 | 第20-21页 |
1.4.7 电化学刻蚀法 | 第21-22页 |
1.5 SiC低维纳米材料的应用 | 第22-27页 |
1.5.1 场发射阴极材料应用 | 第22-24页 |
1.5.2 光电探测器 | 第24-25页 |
1.5.3 光/光电催化剂 | 第25-26页 |
1.5.4 超级电容器 | 第26-27页 |
1.6 原子层沉积系统 | 第27-32页 |
1.6.1 原子层沉积技术发展与应用 | 第27-30页 |
1.6.2 原子层沉积原理 | 第30-31页 |
1.6.3 原子层沉积生长方式 | 第31-32页 |
1.6.4 原子层沉积技术特点 | 第32页 |
1.7 选题背景与意义 | 第32-35页 |
第二章 主要研究内容、实验方案及分析方法 | 第35-41页 |
2.1 主要研究内容 | 第35-36页 |
2.1.1 电化学刻蚀工艺对于4H-SiC纳米阵列形貌的影响 | 第35页 |
2.1.2 4H-SiC纳米阵列光电催化性能研究 | 第35页 |
2.1.3 TiO_2修饰SiC纳米阵列及其光电催化性能 | 第35页 |
2.1.4 本论文的主要创新点 | 第35-36页 |
2.2 实验方案 | 第36-38页 |
2.2.1 实验原料 | 第36-37页 |
2.2.2 实验设备 | 第37-38页 |
2.3 材料结构表征与分析 | 第38-39页 |
2.3.1 材料表征 | 第38-39页 |
2.4 性能测试 | 第39-41页 |
2.4.1 电流密度?电压曲线(I?V曲线) | 第40页 |
2.4.2 光电流密度?时间曲线(I-T曲线) | 第40页 |
2.4.3 光?电转化效率(IPCE) | 第40页 |
2.4.4 电化学阻抗(EIS) | 第40-41页 |
第三章 4H-SiC纳米结构阵列制备及其表征 | 第41-55页 |
3.1 引言 | 第41-43页 |
3.2 实验方案 | 第43-44页 |
3.3 实验结果与讨论 | 第44-53页 |
3.3.1 4H-SiC纳米阵列结构表征 | 第44-48页 |
3.3.2 刻蚀电压对4H-SiC纳米阵列形貌影响 | 第48-49页 |
3.3.3 电解液成分对4H-SiC纳米阵列形貌影响 | 第49-50页 |
3.3.4 循环次数对4H-SiC纳米阵列形貌影响 | 第50-53页 |
3.4 本章小结 | 第53-55页 |
第四章 SiC纳米阵列光电催化特性 | 第55-67页 |
4.1 引言 | 第55-57页 |
4.2 实验方案 | 第57页 |
4.2.1 SiC纳米阵列光电极制备 | 第57页 |
4.2.2 SiC纳米结构阵列光电催化性能检测 | 第57页 |
4.3 实验结果与讨论 | 第57-64页 |
4.3.1 SiC纳米阵列光电极结构表征与分析 | 第57-61页 |
4.3.2 SiC纳米阵列光电催化特性测试与分析 | 第61-64页 |
4.4 本章小结 | 第64-67页 |
第五章 SiC@TiO_2异质结纳米阵列光电催化性能 | 第67-79页 |
5.1 引言 | 第67-69页 |
5.2 实验方案 | 第69-71页 |
5.2.1 ALD构建SiC@TiO_2异质结纳米阵列 | 第70-71页 |
5.3 结果与讨论 | 第71-76页 |
5.3.1 SiC@TiO_2异质结纳米阵列结构表征与分析 | 第71-74页 |
5.3.2 SiC@TiO_2异质结纳米阵列光电催化性能测试与分析 | 第74-76页 |
5.4 本章小结 | 第76-79页 |
第六章 结论 | 第79-81页 |
参考文献 | 第81-87页 |
致谢 | 第87-89页 |
攻读硕士期间发表的学术论文 | 第89页 |