| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-38页 |
| 1.1 神经形态系统 | 第10-14页 |
| 1.2 神经生物学基础 | 第14-20页 |
| 1.3 简化的神经元电路模型 | 第20-21页 |
| 1.4 突触的纳米硬件仿真 | 第21-28页 |
| 1.5 脉冲神经网络 | 第28-36页 |
| 1.6 本文的范围和方法 | 第36-37页 |
| 1.7 本章小结 | 第37-38页 |
| 2 相变存储器突触 | 第38-56页 |
| 2.1 相变存储器的工作原理 | 第38页 |
| 2.2 相变存储器突触的研究进展 | 第38-41页 |
| 2.3 相变存储器的制备和电学测试方法 | 第41-46页 |
| 2.4 基于相变存储器的神经突触功能实现的ANSYS热点仿真 | 第46-49页 |
| 2.5 STDP实验测量 | 第49-55页 |
| 2.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 3 忆阻器突触 | 第56-67页 |
| 3.1 忆阻器的工作原理 | 第56页 |
| 3.2 忆阻器突触的研究进展 | 第56-59页 |
| 3.3 忆阻器的样品制备和电学表征 | 第59-61页 |
| 3.4 基于忆阻器的神经突触功能实现 | 第61-66页 |
| 3.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 4 监督式脉冲神经网络 | 第67-92页 |
| 4.1 监督式脉冲神经网络模型 | 第68-77页 |
| 4.2 基于电子突触器件的学习 | 第77-86页 |
| 4.3 STDP形状的影响 | 第86-87页 |
| 4.4 神经网络的鲁棒性 | 第87-89页 |
| 4.5 电子突触器件阵列的应用方案 | 第89-90页 |
| 4.6 本章小结 | 第90-92页 |
| 5 非监督式脉冲神经网络 | 第92-110页 |
| 5.1 非监督式脉冲神经网络模型 | 第92-97页 |
| 5.2 基于理想数学模型的模式识别仿真 | 第97-103页 |
| 5.3 基于器件模型的模式识别仿真 | 第103-108页 |
| 5.4 本章小结 | 第108-110页 |
| 6 全文总结 | 第110-114页 |
| 6.1 研究内容总结 | 第110-112页 |
| 6.2 对进一步研究的展望 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-138页 |
| 附录1 攻读学位期间发表论文目录 | 第138-139页 |
| 附录2 攻读学位期间发表专利目录 | 第139页 |