| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 符号说明 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-30页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 光催化技术的基本原理 | 第14-17页 |
| 1.2.1 半导体光催化的基本原理 | 第14-16页 |
| 1.2.2 光催化分解水的基本原理 | 第16-17页 |
| 1.3 半导体光催化材料的研究进展 | 第17-24页 |
| 1.3.1 传统半导体光催化材料的研究进展 | 第17-21页 |
| 1.3.2 NaTaO_3及其光催化研究进展 | 第21-24页 |
| 1.3.2.1 NaTaO_3的几何结构 | 第21页 |
| 1.3.2.2 NaTaO_3的光催化研究进展 | 第21-24页 |
| 1.4 本论文的研究内容与结论 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-30页 |
| 第二章 密度泛函理论基础 | 第30-46页 |
| 2.1 Born-Oppenheimer近似与Hartree-Fock近似 | 第30-33页 |
| 2.2 电子密度 | 第33-34页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第34-36页 |
| 2.3.1 Thomas-Fermi模型 | 第34页 |
| 2.3.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第34-35页 |
| 2.3.3 Kohn-Sham方程 | 第35-36页 |
| 2.4 交换关联泛函 | 第36-38页 |
| 2.4.1 局域密度近似(Local Density Approximation) | 第37页 |
| 2.4.2 广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation) | 第37-38页 |
| 2.4.3 轨道泛函LDA(GGA)+U | 第38页 |
| 2.4.4 杂化泛函 | 第38页 |
| 2.5 平面波和赝势方法 | 第38-40页 |
| 2.5.1 平面波方法 | 第39页 |
| 2.5.2 赝势方法 | 第39-40页 |
| 2.6 自旋限制与非限制计算 | 第40页 |
| 2.7 密度泛函理论的修正与扩展 | 第40-41页 |
| 2.8 本文采用的密度泛函理论计算软件包 | 第41-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第三章 N、La掺杂及其共掺NaTaO_3电子结构及光催化性质的影响 | 第46-62页 |
| 3.1 研究背景 | 第46-47页 |
| 3.2 计算方法与模型 | 第47-49页 |
| 3.2.1 计算方法 | 第48页 |
| 3.2.2 计算模型 | 第48-49页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第49-57页 |
| 3.3.1 缺陷形成能 | 第49-51页 |
| 3.3.2 电子结构 | 第51-55页 |
| 3.3.3 电子和空穴的有效质量 | 第55-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 第四章 Bi、La掺杂及共掺对NaTaO_3电子结构及光催化性质的影响 | 第62-72页 |
| 4.1 研究背景 | 第62-63页 |
| 4.2 计算模型与方法 | 第63-64页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第64-68页 |
| 4.3.1 缺陷形成能 | 第64-66页 |
| 4.3.2 电子结构与载流子有效质量 | 第66-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 第五章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 5.1 总结 | 第72-73页 |
| 5.2 展望 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 硕士期间参加的研究项目及获奖情况 | 第75-76页 |
| 附件 | 第76页 |
