| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 主要符号对照表 | 第9-11页 |
| 第1章 引言 | 第11-14页 |
| 1.1 芯片安全性 | 第11页 |
| 1.2 芯片攻击方法的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 论文研究目标和内容介绍 | 第13-14页 |
| 1.3.1 研究目标 | 第13页 |
| 1.3.2 论文内容介绍 | 第13-14页 |
| 第2章 非易失性存储器基础理论 | 第14-21页 |
| 2.1 浮栅晶体管 | 第14-15页 |
| 2.1.1 浮栅晶体管的单元结构 | 第14页 |
| 2.1.2 浮栅晶体管的编程机制 | 第14-15页 |
| 2.2 非易失性存储器分类 | 第15-21页 |
| 2.2.1 可擦除可编程只读存储器（ EPROM） | 第15-16页 |
| 2.2.2 电擦除可编程只读存储器（ EEPROM或E2PROM） | 第16-17页 |
| 2.2.3 快闪电擦除可编程只读存储器（ Flash） | 第17-21页 |
| 第3章 半侵入式攻击方法介绍 | 第21-34页 |
| 3.1 激光错误注入 | 第21-22页 |
| 3.2 利用半侵入式攻击直接读取存储器内容 | 第22-25页 |
| 3.3 利用数据残留进行攻击 | 第25-26页 |
| 3.4 激光局部加热攻击 | 第26-29页 |
| 3.5 光子辐射分析 | 第29-34页 |
| 第4章 光学错误注入攻击实验 | 第34-53页 |
| 4.1 实验原理 | 第34-36页 |
| 4.2 实验对象及设备 | 第36-38页 |
| 4.3 实验方法 | 第38-49页 |
| 4.3.1 分析智能卡芯片的功耗曲线，精确控制激光注入的时间点 | 第38-40页 |
| 4.3.2 确定智能卡芯片的位宽，将数据分成以芯片位宽长度为单位的数据块 | 第40-41页 |
| 4.3.3 确定智能卡芯片的Flash区域及逻辑控制区域，控制激光注入的空间点 | 第41页 |
| 4.3.4 确定智能卡芯片表面的激光敏感点分布 | 第41-44页 |
| 4.3.5 根据激光敏感点分布进行碰撞攻击 | 第44-49页 |
| 4.4 实验结果与分析 | 第49-52页 |
| 4.5 实验总结 | 第52-53页 |
| 第5章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 论文工作总结和创新点 | 第53-54页 |
| 5.2 存在的问题和进一步研究方向 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第59页 |
