| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 文献综述 | 第9-23页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 多晶硅的性质与用途 | 第9-11页 |
| 1.2.1 硅的性质 | 第9-10页 |
| 1.2.2 硅的分类 | 第10页 |
| 1.2.3 硅的用途 | 第10-11页 |
| 1.3 多晶硅制备方法概述 | 第11-14页 |
| 1.3.1 四氯化硅法 | 第12页 |
| 1.3.2 二氯二氢硅法 | 第12页 |
| 1.3.3 改良西门子法 | 第12-13页 |
| 1.3.4 硅烷流化床法 | 第13-14页 |
| 1.3.5 硅烷热分解法 | 第14页 |
| 1.3.6 冶金法 | 第14页 |
| 1.4 改良西门子法的发展历程 | 第14-18页 |
| 1.4.1 第一代多晶硅生产工艺 | 第15-16页 |
| 1.4.2 第二代多晶硅生产工艺 | 第16-17页 |
| 1.4.3 第三代多晶硅生产工艺 | 第17-18页 |
| 1.5 三种多晶硅制备方法能耗及参数对比 | 第18-19页 |
| 1.6 国内外多晶产能发展情况 | 第19页 |
| 1.7 国内外多晶硅还原技术发展趋势 | 第19-21页 |
| 1.8 我国多晶硅发展格局及存在问题 | 第21页 |
| 1.8.1 我国多晶硅地域性发展布局 | 第21页 |
| 1.8.2 我国多晶硅还原炉装备水平 | 第21页 |
| 1.9 本论文研究的主要内容 | 第21-23页 |
| 第2章 还原工艺优化 | 第23-45页 |
| 2.1 还原炉运行压力研究 | 第23-26页 |
| 2.1.1 还原炉运行压力实验 | 第24-25页 |
| 2.1.2 运行压力分析 | 第25-26页 |
| 2.2 还原炉内反应温度研究 | 第26-29页 |
| 2.2.1 反应温度对硅收率的影响 | 第26-27页 |
| 2.2.2 反应温度对硅棒表面形态的影响 | 第27-28页 |
| 2.2.3 反应温度与硅芯电阻的研究 | 第28-29页 |
| 2.2.4 如何控制硅棒反应温度 | 第29页 |
| 2.3 降低混合气配比 | 第29-34页 |
| 2.3.1 不同配比的实验数据分析 | 第29-32页 |
| 2.3.2 不同配比条件下的运行参数对比 | 第32-33页 |
| 2.3.3 不同配比挥发器温度计算 | 第33-34页 |
| 2.4 优化混合气进料量 | 第34-35页 |
| 2.4.1 混合气量及通料曲线计算 | 第34-35页 |
| 2.4.2 适当提高混合气料量 | 第35页 |
| 2.5 改变进料方式，优化进气温度 | 第35-40页 |
| 2.5.1 进料方式不同对还原电耗的影响 | 第35-37页 |
| 2.5.2 降低进气温度对还原电耗的影响 | 第37-38页 |
| 2.5.3 延长出气夹套管长度，调节进气温度 | 第38页 |
| 2.5.4 夹套管长度核算 | 第38-40页 |
| 2.6 气体流速对硅棒生长的影响 | 第40-42页 |
| 2.7 进料中添加二氯二氢硅对还原电耗的影响 | 第42-44页 |
| 2.8 本章小结 | 第44-45页 |
| 第3章 还原炉底盘结构优化 | 第45-65页 |
| 3.1 30对棒底盘运行情况分析 | 第45-47页 |
| 3.1.1 24对棒底盘与30对棒底盘运行数据对比 | 第45-46页 |
| 3.1.2 24对棒底盘与原30对棒底盘结构对比 | 第46-47页 |
| 3.2 新型30对棒还原炉底盘排布 | 第47-49页 |
| 3.2.1 硅棒电极排布 | 第47-48页 |
| 3.2.2 进气孔的数量及排布 | 第48页 |
| 3.2.3 尾气出气口布置 | 第48-49页 |
| 3.3 30对棒底盘CFD模拟计算 | 第49-50页 |
| 3.3.1 计算模型方案设计 | 第49页 |
| 3.3.2 计算参数设置 | 第49-50页 |
| 3.4 30对棒底盘模拟计算结果及讨论 | 第50-63页 |
| 3.4.1 气体流动轨迹 | 第50-52页 |
| 3.4.2 30对棒底盘流场模拟 | 第52-57页 |
| 3.4.3 30对棒底盘温度场模拟 | 第57-61页 |
| 3.4.4 30对棒底盘物质浓度分布 | 第61-63页 |
| 3.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 第4章 备件优化 | 第65-89页 |
| 4.1 喷嘴结构优化调整 | 第65-82页 |
| 4.1.1 多晶硅棒生长现状和喷嘴结构 | 第65-66页 |
| 4.1.2 还原炉主要参数和喷嘴的主要尺寸 | 第66页 |
| 4.1.3 三种喷嘴的流场分析 | 第66-72页 |
| 4.1.4 三种喷嘴的温度场分析 | 第72-78页 |
| 4.1.5 硅棒温度分析 | 第78-82页 |
| 4.1.6 结论 | 第82页 |
| 4.2 石墨备件结构及清洗工艺优化 | 第82-87页 |
| 4.2.1 石墨结构优化改进 | 第82-83页 |
| 4.2.2 石墨清洗与煅烧工艺优化 | 第83-87页 |
| 4.3 本章小结 | 第87-89页 |
| 第5章 结论 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-95页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |