改良西门子法多晶硅生产环保处理工艺
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 文献综述 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 多晶硅行业发展现状 | 第9-14页 |
| 1.2.1 多晶硅行业介绍 | 第9-10页 |
| 1.2.2 多晶硅行业国内国际战略地位 | 第10-11页 |
| 1.2.3 多晶硅行业发展现状 | 第11-14页 |
| 1.3 多晶硅行业发展中遇到的环境问题 | 第14-17页 |
| 1.3.1 多晶硅发展环境舆论 | 第14-15页 |
| 1.3.2 国内多晶硅企业面临的环保问题和做法 | 第15-17页 |
| 1.4 国家对多晶硅行业相关环保政策与要求 | 第17-20页 |
| 1.5 本课题的研究意义与内容 | 第20-21页 |
| 1.5.1 研究意义 | 第20页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 改良西门子法多晶硅生产主工艺概况 | 第21-25页 |
| 2.1 SiHCl3提纯工艺 | 第21页 |
| 2.2 多晶硅还原工艺 | 第21页 |
| 2.3 还原尾气干法回收工艺 | 第21-23页 |
| 2.4 SiCl_4氢化工艺 | 第23-25页 |
| 第3章 改良西门子法多晶硅生产环保工艺研究 | 第25-63页 |
| 3.1 生产过程物料综合回收方案研究 | 第25-39页 |
| 3.1.1 尾气深冷回收方案研究 | 第25-29页 |
| 3.1.2 残液回收方案研究 | 第29-32页 |
| 3.1.3 尾气中和处理方案研究 | 第32-39页 |
| 3.2 副产物SiCl_4综合利用优选方案研究 | 第39-50页 |
| 3.2.1 SiCl_4低温氢化方案研究 | 第39-43页 |
| 3.2.2 气相二氧化硅制备方案研究 | 第43-47页 |
| 3.2.3 高纯光纤SiCl_4方案研究 | 第47-50页 |
| 3.3 特征污染因子氯化物的有效去除装置研究 | 第50-53页 |
| 3.3.1 技术方案 | 第50页 |
| 3.3.2 主体设备 | 第50-51页 |
| 3.3.3 主要工艺流程 | 第51页 |
| 3.3.4 运行情况分析 | 第51-53页 |
| 3.3.5 效益分析 | 第53页 |
| 3.4 多晶硅生产的环保风险防控 | 第53-63页 |
| 3.4.1 风险因素分析 | 第54-55页 |
| 3.4.2 环境风险预防措施和应急措施 | 第55-63页 |
| 第4章 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
