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LTE-Hi中高阶调制的实现与性能研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第9-15页
    1.1 研究背景与意义第9-10页
    1.2 主要研究内容及成果第10-13页
    1.3 论文结构安排第13-15页
第二章 LTE-Hi及高阶调制技术综述第15-23页
    2.1 LTE-Hi综述第15-19页
        2.1.1 LTE-Hi场景综述第15-17页
        2.1.2 LTE-Hi关键技术第17-19页
    2.2 高阶调制技术综述第19-22页
        2.2.1 国内外发展现状第19-20页
        2.2.2 高阶调制的性能第20-21页
        2.2.3 高阶调制的优势第21-22页
    2.3 本章小结第22-23页
第三章 LTE-Hi链路级平台256QAM实现和性能分析第23-43页
    3.1 LTE-Hi链路级平台256QAM实现第23-33页
        3.1.1 LTE-A链路级仿真平台第23-29页
        3.1.2 LTE-Hi链路级256QAM调制第29-31页
        3.1.3 LTE-Hi链路级平台校准第31-33页
    3.2 LTE-Hi链路级256QAM的性能分析第33-42页
        3.2.1 高阶调制下影响EVM的因素分析第33-39页
        3.2.2 256QAM调制下EVM容忍值评估第39-42页
    3.3 本章小结第42-43页
第四章 系统级平台引入256QAM调制及性能分析第43-59页
    4.1 系统级平台引入256QAM调制第43-55页
        4.1.1 LTE-A系统级仿真平台第43-47页
        4.1.2 256QAM调制下CQI/MCS/TBS配置第47-55页
    4.2 系统级平台引入256QAM性能分析第55-58页
        4.2.1 IMT-A信道下室内热点场景第55-56页
        4.2.2 256QAM调制性能分析第56-58页
    4.3 本章小结第58-59页
第五章 结束语第59-61页
    5.1 论文工作总结第59页
    5.2 未来工作展望第59-61页
缩略语索引第61-63页
参考文献第63-67页
致谢第67页

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