异质衬底锗薄膜的制备
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 太阳电池的研究现状与发展前景 | 第10-15页 |
| 1.1.1 能源危机和新能源的发展 | 第10-11页 |
| 1.1.2 太阳电池的发展前景 | 第11-13页 |
| 1.1.3 太阳电池的分类 | 第13-15页 |
| 1.2 多结太阳电池制备技术 | 第15-18页 |
| 1.2.1 正向生长法 | 第16页 |
| 1.2.2 倒装生长法 | 第16-17页 |
| 1.2.3 双面生长法 | 第17-18页 |
| 1.3 异质衬底锗薄膜制备技术 | 第18-26页 |
| 1.3.1 组分渐变法 | 第19-21页 |
| 1.3.2 低温缓冲层法 | 第21-23页 |
| 1.3.3 选区外延法 | 第23-26页 |
| 1.4 本论文主要内容和结构安排 | 第26-27页 |
| 第2章 异质衬底锗薄膜的制备系统与表征技术 | 第27-38页 |
| 2.1 制备系统 | 第27-31页 |
| 2.1.1 磁控溅射系统 | 第27-30页 |
| 2.1.2 快速热退火系统 | 第30-31页 |
| 2.2 沉积过程 | 第31-34页 |
| 2.2.1 薄膜的溅射过程 | 第31-32页 |
| 2.2.2 薄膜的生长模式 | 第32-34页 |
| 2.3 表征技术 | 第34-37页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第34-35页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第35-36页 |
| 2.3.3 台阶仪 | 第36-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 石墨衬底锗薄膜的制备及性质研究 | 第38-48页 |
| 3.1 石墨的结构和性质 | 第38-40页 |
| 3.1.1 石墨的晶体结构 | 第38-39页 |
| 3.1.2 石墨的物理化学性质 | 第39-40页 |
| 3.2 石墨衬底锗薄膜的制备 | 第40-42页 |
| 3.2.1 磁控溅射过程 | 第40-42页 |
| 3.2.2 快速热退火过程 | 第42页 |
| 3.3 制备工艺对锗薄膜性质的影响 | 第42-46页 |
| 3.3.1 衬底温度对锗薄膜的影响 | 第42-43页 |
| 3.3.2 快速热退火对锗薄膜的影响 | 第43-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第4章 硅衬底锗薄膜的制备及性质研究 | 第48-56页 |
| 4.1 硅衬底锗薄膜的制备 | 第48-50页 |
| 4.1.1 单晶硅衬底的选择和处理 | 第48页 |
| 4.1.2 石墨过渡层的加入 | 第48-49页 |
| 4.1.3 锗薄膜的制备及退火处理 | 第49-50页 |
| 4.2 SEM测试分析 | 第50页 |
| 4.3 XRD测试分析 | 第50-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第5章 结论与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 本文的主要结论 | 第56页 |
| 5.2 展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
