单层二硫化钼金属/半导体相界面结构及力电特性的第一性原理研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 1 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 二硫化钼的结构和性质 | 第10-11页 |
| 1.2 二硫化钼的应用 | 第11-13页 |
| 1.3 本文的研究思路 | 第13-14页 |
| 2 理论基础知识 | 第14-18页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第14-15页 |
| 2.2 分子动力学 | 第15-16页 |
| 2.3 论文使用软件简介 | 第16-18页 |
| 3 1T/2H二硫化钼相界面的结构 | 第18-24页 |
| 3.1 引言 | 第18-19页 |
| 3.2 计算方法 | 第19页 |
| 3.3 二硫化钼相界面的结构 | 第19-21页 |
| 3.4 形成能和稳定性 | 第21-23页 |
| 3.5 结论 | 第23-24页 |
| 4 1T/2H二硫化钼相界面的力学性质 | 第24-28页 |
| 4.1 背景简介 | 第24页 |
| 4.2 研究方案和研究方法 | 第24页 |
| 4.3 二硫化钼相界面的力学本征强度 | 第24-26页 |
| 4.4 本章小结 | 第26-28页 |
| 5 1T/2H二硫化钼相界面的电子和输运性质 | 第28-38页 |
| 5.1 引言 | 第28页 |
| 5.2 计算方法 | 第28-29页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第29-37页 |
| 5.4 结论 | 第37-38页 |
| 6 结论与展望 | 第38-40页 |
| 6.1 结论 | 第38页 |
| 6.2 创新要点摘要 | 第38-39页 |
| 6.3 展望 | 第39-40页 |
| 致谢 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-50页 |
| 攻读硕士学位期间科研情况 | 第50页 |
