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nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管特性研究

中文摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第10-27页
    1.1 磁敏三极管研究现状第10-16页
    1.2 异质结器件研究现状第16-25页
        1.2.1 纳米硅/单晶硅异质结研究现状第16-22页
        1.2.2 异质结双极型晶体管研究现状第22-25页
    1.3 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管研究目的和意义第25页
        1.3.1 研究目的第25页
        1.3.2 研究意义第25页
    1.4 论文主要研究内容第25-27页
第2章 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管基本结构与工作原理第27-33页
    2.1 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管基本结构第27-28页
    2.2 异质结的高注入比特性第28-31页
    2.3 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管工作原理第31-32页
    2.4 本章小结第32-33页
第3章 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管特性仿真第33-41页
    3.1 ATLAS器件仿真系统第33页
    3.2 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管结构仿真模型构建第33-34页
    3.3 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管特性第34-38页
        3.3.1 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管IC-VCE特性第34-35页
        3.3.2 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管磁敏特性第35-37页
        3.3.3 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管温度特性第37-38页
    3.4 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管尺寸优化第38-40页
        3.4.1 基区长度对IC-VCE特性的影响第38页
        3.4.2 基区宽度对IC-VCE特性的影响第38-39页
        3.4.3 集电极面积对IC-VCE特性的影响第39-40页
    3.5 本章小结第40-41页
第4章 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管芯片设计、制作与封装第41-50页
    4.1 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管芯片设计第41-44页
        4.1.1 基区长度第41-42页
        4.1.2 基区宽度第42页
        4.1.3 发射区掺杂浓度第42-43页
        4.1.4 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管芯片版图设计第43-44页
    4.2 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管芯片制作工艺第44-46页
    4.3 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管芯片封装第46-49页
        4.3.1 发射极导电胶式封装结构第46-48页
        4.3.2 发射极内引线式封装结构第48-49页
    4.4 本章小结第49-50页
第5章 实验结果与讨论第50-76页
    5.1 nc-Si:H薄膜特性研究第50-53页
        5.1.1 XRD分析第50-51页
        5.1.2 SEM分析第51-53页
    5.2 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管电学特性第53-55页
        5.2.1 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管IC-VCE特性第53-54页
        5.2.2 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管共发射极放大倍数β第54-55页
    5.3 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管磁敏特性第55-66页
        5.3.1 磁敏特性测试系统第55-56页
        5.3.2 电流磁灵敏度第56-61页
        5.3.3 电压磁灵敏度第61-66页
    5.4 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管温度特性第66-71页
        5.4.1 基区长度L=140 μm第66-68页
        5.4.2 基区长度L=180 μm第68-69页
        5.4.3 基区长度L=200 μm第69-71页
    5.5 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管静态特性第71-74页
    5.6 本章小结第74-76页
结论第76-77页
参考文献第77-83页
致谢第83-84页
攻读学位期间发表论文第84页
攻读学位期间科研项目第84页

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