中文摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第10-27页 |
1.1 磁敏三极管研究现状 | 第10-16页 |
1.2 异质结器件研究现状 | 第16-25页 |
1.2.1 纳米硅/单晶硅异质结研究现状 | 第16-22页 |
1.2.2 异质结双极型晶体管研究现状 | 第22-25页 |
1.3 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管研究目的和意义 | 第25页 |
1.3.1 研究目的 | 第25页 |
1.3.2 研究意义 | 第25页 |
1.4 论文主要研究内容 | 第25-27页 |
第2章 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管基本结构与工作原理 | 第27-33页 |
2.1 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管基本结构 | 第27-28页 |
2.2 异质结的高注入比特性 | 第28-31页 |
2.3 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管工作原理 | 第31-32页 |
2.4 本章小结 | 第32-33页 |
第3章 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管特性仿真 | 第33-41页 |
3.1 ATLAS器件仿真系统 | 第33页 |
3.2 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管结构仿真模型构建 | 第33-34页 |
3.3 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管特性 | 第34-38页 |
3.3.1 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管IC-VCE特性 | 第34-35页 |
3.3.2 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管磁敏特性 | 第35-37页 |
3.3.3 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管温度特性 | 第37-38页 |
3.4 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管尺寸优化 | 第38-40页 |
3.4.1 基区长度对IC-VCE特性的影响 | 第38页 |
3.4.2 基区宽度对IC-VCE特性的影响 | 第38-39页 |
3.4.3 集电极面积对IC-VCE特性的影响 | 第39-40页 |
3.5 本章小结 | 第40-41页 |
第4章 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管芯片设计、制作与封装 | 第41-50页 |
4.1 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管芯片设计 | 第41-44页 |
4.1.1 基区长度 | 第41-42页 |
4.1.2 基区宽度 | 第42页 |
4.1.3 发射区掺杂浓度 | 第42-43页 |
4.1.4 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管芯片版图设计 | 第43-44页 |
4.2 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管芯片制作工艺 | 第44-46页 |
4.3 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管芯片封装 | 第46-49页 |
4.3.1 发射极导电胶式封装结构 | 第46-48页 |
4.3.2 发射极内引线式封装结构 | 第48-49页 |
4.4 本章小结 | 第49-50页 |
第5章 实验结果与讨论 | 第50-76页 |
5.1 nc-Si:H薄膜特性研究 | 第50-53页 |
5.1.1 XRD分析 | 第50-51页 |
5.1.2 SEM分析 | 第51-53页 |
5.2 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管电学特性 | 第53-55页 |
5.2.1 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管IC-VCE特性 | 第53-54页 |
5.2.2 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管共发射极放大倍数β | 第54-55页 |
5.3 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管磁敏特性 | 第55-66页 |
5.3.1 磁敏特性测试系统 | 第55-56页 |
5.3.2 电流磁灵敏度 | 第56-61页 |
5.3.3 电压磁灵敏度 | 第61-66页 |
5.4 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管温度特性 | 第66-71页 |
5.4.1 基区长度L=140 μm | 第66-68页 |
5.4.2 基区长度L=180 μm | 第68-69页 |
5.4.3 基区长度L=200 μm | 第69-71页 |
5.5 nc-Si:H/c-Si异质结硅磁敏三极管静态特性 | 第71-74页 |
5.6 本章小结 | 第74-76页 |
结论 | 第76-77页 |
参考文献 | 第77-83页 |
致谢 | 第83-84页 |
攻读学位期间发表论文 | 第84页 |
攻读学位期间科研项目 | 第84页 |