| 摘要 | 第9-10页 |
| ABSTRACT | 第10页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 分子筛简介 | 第11页 |
| 1.2 硅基分子筛的研究现状 | 第11-17页 |
| 1.2.1 高硅酸盐分子筛 | 第11-13页 |
| 1.2.2 杂原子分子筛 | 第13-15页 |
| 1.2.3 锗硅酸盐分子筛 | 第15-17页 |
| 1.3 分子筛的合成方法 | 第17-19页 |
| 1.4 本论文的研究目的和意义 | 第19-21页 |
| 第2章 B掺杂STW结构硅酸盐分子筛的制备与表征 | 第21-31页 |
| 2.1 前言 | 第21-22页 |
| 2.2 实验部分 | 第22-24页 |
| 2.2.1 实验药品与仪器 | 第22页 |
| 2.2.2 实验过程 | 第22-24页 |
| 2.3 实验所用的表征方法 | 第24-28页 |
| 2.3.1 核磁共振氢谱（~1H-NMR）分析 | 第24页 |
| 2.3.2 粉末X-射线衍射（XRD）分析 | 第24-25页 |
| 2.3.3 电感耦合等离子发射光谱（ICP）分析 | 第25页 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜（SEM）分析 | 第25-26页 |
| 2.3.5 N_2吸附-脱附曲线和孔径分布分析 | 第26-27页 |
| 2.3.6 傅立叶变换红外光谱（FT-IR）分析 | 第27页 |
| 2.3.7 NH_3程序升温脱附（NH3-TPD）分析 | 第27-28页 |
| 2.4 结果与讨论 | 第28-30页 |
| 2.4.1 投料硅硼比的影响 | 第28-29页 |
| 2.4.2 2E134TMIOH溶液浓度对合成产物的影响 | 第29页 |
| 2.4.3 晶化时间的影响 | 第29-30页 |
| 2.5 小结 | 第30-31页 |
| 第3章 STW结构锗硅酸盐分子筛的制备与表征 | 第31-39页 |
| 3.1 前言 | 第31页 |
| 3.2 实验部分 | 第31-32页 |
| 3.2.1 实验药品与仪器 | 第31-32页 |
| 3.2.2 实验过程 | 第32页 |
| 3.3 实验所用的表征方法 | 第32-33页 |
| 3.3.1 X射线能谱仪（EDS）分析 | 第32页 |
| 3.3.2 XRD、SEM和ICP分析 | 第32-33页 |
| 3.4 影响GeSi-STW-HT样品合成因素的结果与讨论 | 第33-34页 |
| 3.4.1 水量的影响 | 第33页 |
| 3.4.2 扫描电子显微镜（SEM）分析 | 第33-34页 |
| 3.5 影响GeSi-STW-DG样品合成因素的结果与讨论 | 第34-36页 |
| 3.5.1 外加水量和模板剂的量对产物的影响 | 第34-35页 |
| 3.5.2 扫描电子显微镜（SEM）分析 | 第35-36页 |
| 3.6 STW结构分子筛骨架与几种OSDAs相互作用能的计算 | 第36-37页 |
| 3.7 小结 | 第37-39页 |
| 第4章 ITH结构锗硅酸盐分子筛的制备与表征 | 第39-49页 |
| 4.1 前言 | 第39-40页 |
| 4.2 实验部分 | 第40-41页 |
| 4.2.1 实验药品与仪器 | 第40页 |
| 4.2.2 实验过程 | 第40-41页 |
| 4.3 实验所用的表征方法 | 第41-45页 |
| 4.3.1 粉末X-射线衍射（XRD）分析 | 第41页 |
| 4.3.2 电感耦合等离子发射光谱（ICP）分析 | 第41页 |
| 4.3.3 扫描电子显微镜（SEM）分析 | 第41-42页 |
| 4.3.4 差热-热重（DT-TGA）分析 | 第42页 |
| 4.3.5 N_2吸附-脱附曲线和孔径分布分析 | 第42-43页 |
| 4.3.6 单晶X-射线衍射分析 | 第43-45页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第45-47页 |
| 4.4.1 水量的影响 | 第46页 |
| 4.4.2 SiO_2:GeO_2摩尔比的影响 | 第46页 |
| 4.4.3 模板剂含量的影响 | 第46页 |
| 4.4.4 氟离子含量的影响 | 第46页 |
| 4.4.5 热稳定性研究 | 第46-47页 |
| 4.5 小结 | 第47-49页 |
| 第5章 ITH结构杂原子分子筛的制备与表征 | 第49-61页 |
| 5.1 前言 | 第49页 |
| 5.2 实验部分 | 第49-50页 |
| 5.2.1 实验药品与仪器 | 第49-50页 |
| 5.2.2 实验过程 | 第50页 |
| 5.3 实验所用的表征方法 | 第50-55页 |
| 5.3.1 粉末X-射线衍射（XRD）分析 | 第50-51页 |
| 5.3.2 电感耦合等离子发射光谱（ICP）分析 | 第51页 |
| 5.3.3 扫描电子显微镜（SEM）分析 | 第51-52页 |
| 5.3.4 差热-热重（DT-TGA）分析 | 第52页 |
| 5.3.5 N_2吸附-脱附曲线和孔径分布分析 | 第52-53页 |
| 5.3.6 紫外-可见光漫反射光谱（DRS-UV/Vis）分析 | 第53-54页 |
| 5.3.7 X射线光电子能谱（XPS）分析 | 第54-55页 |
| 5.4 结果与讨论 | 第55-58页 |
| 5.4.1 钴源的量的影响 | 第55-56页 |
| 5.4.2 钴源的量的影响 | 第56-57页 |
| 5.4.3 热稳定性研究 | 第57-58页 |
| 5.5 小结 | 第58-61页 |
| 第6章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 结论 | 第61页 |
| 6.2 展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-73页 |
| 附表 | 第73-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 攻读硕士期间发表学术论文 | 第81页 |
