单层MoS2及MoS2/Graphene异质结能带结构的研究
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 石墨烯简介 | 第10-12页 |
| 1.3 MoS_2钼简介 | 第12-15页 |
| 1.4 二硫化钼/石墨烯异质结简介 | 第15-17页 |
| 1.5 小结 | 第17-18页 |
| 第二章 理论研究方法 | 第18-24页 |
| 2.1 序论 | 第18页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第18-20页 |
| 2.3 局域密度近似 | 第20-22页 |
| 2.4 能带论 | 第22-23页 |
| 2.5 VASP软件包简介 | 第23页 |
| 2.6 小结 | 第23-24页 |
| 第三章 二硫化钼/石墨烯异质结的电子结构 | 第24-32页 |
| 3.1 简介 | 第24-26页 |
| 3.2 理论模型及参数设定 | 第26-27页 |
| 3.3 异质结能带结构及电子性质 | 第27-31页 |
| 3.4 小结 | 第31-32页 |
| 第四章 单层二硫化钼的带隙 | 第32-39页 |
| 4.1 简介 | 第32-33页 |
| 4.2 理论模型与参数设定 | 第33页 |
| 4.3 在拉伸条件下的带隙变化 | 第33-38页 |
| 4.4 小结 | 第38-39页 |
| 第五章 全文总结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-47页 |
| 在读期间公开发表的论文和承担科研项目及取得成果 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48页 |
