| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 开关电源概述 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外发展状况 | 第12-13页 |
| 1.3 课题研究的意义 | 第13-14页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第14页 |
| 1.5 本论文的结构安排 | 第14-16页 |
| 第二章 芯片架构设计 | 第16-25页 |
| 2.1 DC-DC转换器基本原理 | 第16页 |
| 2.2 DC-DC转换器分类 | 第16-18页 |
| 2.2.1 降压型DC-DC转换器（BUCK） | 第16-17页 |
| 2.2.2 升压型DC-DC转换器（BOOST） | 第17页 |
| 2.2.3 降压-升压型DC-DC转换器（BUCK-BOOST） | 第17-18页 |
| 2.3 芯片架构设计 | 第18-22页 |
| 2.4 工艺选择 | 第22-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 关键单元电路设计 | 第25-50页 |
| 3.1 误差放大器 | 第25-30页 |
| 3.1.1 跨导放大器电路设计 | 第26-27页 |
| 3.1.2 误差放大器电路设计 | 第27-28页 |
| 3.1.3 仿真结果 | 第28-30页 |
| 3.2 基准电路和低压差线性稳压器（LDO） | 第30-37页 |
| 3.2.1 带隙基准电路设计 | 第31-32页 |
| 3.2.2 参考电压/电流源电路设计 | 第32-33页 |
| 3.2.3 低压差线性稳压器电路设计 | 第33-34页 |
| 3.2.4 仿真结果 | 第34-37页 |
| 3.3 电流电压转换器和斜坡补偿电路 | 第37-41页 |
| 3.3.1 电流电压转换器设计 | 第37-39页 |
| 3.3.2 斜坡补偿电路设计 | 第39-40页 |
| 3.3.3 仿真结果 | 第40-41页 |
| 3.4 功率级控制电路 | 第41-49页 |
| 3.4.1 电荷泵和峰值电流检测电路设计 | 第42-44页 |
| 3.4.2 电流比较器设计 | 第44-45页 |
| 3.4.3 电平转换电路设计 | 第45-46页 |
| 3.4.4 仿真结果 | 第46-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 DC-DC转换器芯片仿真 | 第50-56页 |
| 4.1 芯片功能仿真结果 | 第50-54页 |
| 4.2 芯片性能仿真结果 | 第54-55页 |
| 4.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 辐射效应机理及加固设计 | 第56-67页 |
| 5.1 辐射效应对MOSFET器件的影响 | 第56-58页 |
| 5.1.1 电离辐射总剂量效应 | 第56页 |
| 5.1.2 单粒子效应 | 第56-58页 |
| 5.2 辐射效应产生机理 | 第58-60页 |
| 5.2.1 电离辐射总剂量效应机理 | 第58-59页 |
| 5.2.2 单粒子效应机理 | 第59-60页 |
| 5.2.2.1 单粒子翻转 | 第59页 |
| 5.2.2.2 单粒子闭锁 | 第59-60页 |
| 5.3 CMOS器件的抗辐射加固技术 | 第60-65页 |
| 5.3.1 电离辐射总剂量效应加固技术 | 第60-61页 |
| 5.3.2 单粒子翻转加固技术 | 第61-63页 |
| 5.3.2.1 电阻加固技术 | 第61-62页 |
| 5.3.2.2 三模冗余加固技术 | 第62-63页 |
| 5.3.3 单粒子闭锁加固技术 | 第63-65页 |
| 5.3.3.1 阱-源结构 | 第63页 |
| 5.3.3.2 SOI工艺加固 | 第63-64页 |
| 5.3.3.3 版图加固 | 第64-65页 |
| 5.4 版图设计 | 第65-66页 |
| 5.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 电参数测试和辐照摸底试验 | 第67-77页 |
| 6.1 电参数测试 | 第67-72页 |
| 6.2 总剂量摸底试验 | 第72-73页 |
| 6.3 单粒子摸底试验 | 第73-76页 |
| 6.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 第七章 结论与展望 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第82-83页 |