| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 研究意义 | 第8-9页 |
| 1.2 Mg_2Si的基本性质 | 第9-14页 |
| 1.2.1 Mg_2Si的相图 | 第9页 |
| 1.2.2 Mg_2Si的晶体结构 | 第9-10页 |
| 1.2.3 Mg_2Si的光学性质和电学性质 | 第10-12页 |
| 1.2.4 Mg_2Si薄膜的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 光敏电阻工作原理及基本特性 | 第14-16页 |
| 1.3.1 光敏电阻工作原理 | 第14-15页 |
| 1.3.2 光谱特性 | 第15-16页 |
| 1.3.3 I-V特性 | 第16页 |
| 1.3.4 光照响应特性 | 第16页 |
| 1.4 光敏电阻的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 制备与表征方法 | 第18-27页 |
| 2.1 制备材料 | 第18页 |
| 2.2 制备仪器 | 第18-22页 |
| 2.2.1 磁控溅射系统 | 第18-20页 |
| 2.2.2 热处理系统 | 第20-21页 |
| 2.2.3 丝网印刷系统 | 第21-22页 |
| 2.3 样品的表征设备 | 第22-26页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪 | 第22-23页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第23页 |
| 2.3.3 四探针测试仪 | 第23-24页 |
| 2.3.4 光谱响应测量系统 | 第24-25页 |
| 2.3.5 半导体器件分析仪 | 第25页 |
| 2.3.6 光照响应测试系统 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 Mg_2Si薄膜的制备与性能表征 | 第27-40页 |
| 3.1 Mg_2Si薄膜的制备 | 第27-31页 |
| 3.1.1 Si衬底与Mg靶材的处理 | 第28-29页 |
| 3.1.2 磁控溅射沉积 | 第29-30页 |
| 3.1.3 热处理 | 第30-31页 |
| 3.2 Mg膜厚度对不同Si衬底上Mg_2Si薄膜制备的影响 | 第31-39页 |
| 3.2.1 Mg_2Si薄膜的生长机制 | 第31页 |
| 3.2.2 Mg膜厚度对不同Si衬底上Mg_2Si薄膜晶体结构的影响 | 第31-35页 |
| 3.2.3 Mg膜厚度对不同Si衬底上Mg_2Si薄膜表面形貌的影响 | 第35-37页 |
| 3.2.4 Mg膜厚度对不同Si衬底上Mg_2Si薄膜电学性质的影响 | 第37-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 光敏电阻的制备与研究 | 第40-50页 |
| 4.1 掩膜版的制备 | 第40-43页 |
| 4.2 光敏电阻的制备 | 第43-44页 |
| 4.3 光敏电阻的性能分析 | 第44-48页 |
| 4.3.1 光敏电阻光谱响应特性分析 | 第44-45页 |
| 4.3.2 光敏电阻I-V特性分析 | 第45-47页 |
| 4.3.3 光敏电阻光照响应特性分析 | 第47-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 总结 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 附录 | 第59-60页 |
