| 目录 | 第3-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第8-21页 |
| 1.1 快闪存储器发展历史及基本工作原理 | 第8-11页 |
| 1.2 快闪存储器的基本分类 | 第11-14页 |
| 1.2.1 NOR型闪存 | 第11-12页 |
| 1.2.2 NAND型闪存 | 第12-13页 |
| 1.2.3 NROM型闪存 | 第13-14页 |
| 1.3 快闪存储器的技术发展、市场及预测 | 第14-17页 |
| 1.4 本论文主要内容和技术创新点 | 第17-21页 |
| 第二章 闪存工作原理和芯片性能 | 第21-35页 |
| 2.1 闪存单元工作的物理机制 | 第21-25页 |
| 2.2 闪存单元的基本工作模式 | 第25-27页 |
| 2.2.1 闪存单元的编程 | 第25-26页 |
| 2.2.2 闪存单元的擦除 | 第26页 |
| 2.2.3 闪存单元的软编程 | 第26-27页 |
| 2.2.4 闪存单元的读操作 | 第27页 |
| 2.3 闪存芯片的结构 | 第27-29页 |
| 2.4 可靠性及其带来的问题 | 第29-33页 |
| 2.4.1 器件的可靠性 | 第29-30页 |
| 2.4.2 多电平技术MLC带来的问题 | 第30-31页 |
| 2.4.3 器件尺寸缩小带来的问题 | 第31-33页 |
| 2.5 闪存芯片设计的关键技术及主要指标 | 第33-34页 |
| 2.6 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 低功耗低峰值电流的MLC闪存芯片的高压管理 | 第35-83页 |
| 3.1 NOR型闪存阵列结构 | 第37-40页 |
| 3.2 闪存芯片的高压电路结构管理概述 | 第40-50页 |
| 3.3 高密度SIM卡芯片的上电启动和测试模式检测设计 | 第50-64页 |
| 3.3.1 HDSIM卡的上电高压管理和峰值电流设计要求 | 第51-52页 |
| 3.3.2 上电工作框图及流程 | 第52-55页 |
| 3.3.3 峰值电流的产生 | 第55-57页 |
| 3.3.4 上电高压管理电路设计及芯片照片 | 第57-59页 |
| 3.3.5 芯片上电控制电路仿真结果 | 第59-62页 |
| 3.3.6 峰值电流控制及测试结果 | 第62-63页 |
| 3.3.7 展望 | 第63-64页 |
| 3.4 待机系统的设计 | 第64-81页 |
| 3.4.1 漏电流产生的原理及解决方法 | 第65-67页 |
| 3.4.2 闪存待机功耗及功耗分布分析 | 第67-73页 |
| 3.4.3 传统的解决方法 | 第73-76页 |
| 3.4.4 自适应待机功耗控制 | 第76-78页 |
| 3.4.5 测试结果 | 第78-81页 |
| 3.4.6 进一步减小待机功耗的考虑 | 第81页 |
| 3.5 本章小结 | 第81-83页 |
| 第四章 65nM MLC NOR型闪存温度自适应快速编程 | 第83-99页 |
| 4.1 闪存单元编程电流的模型 | 第83-85页 |
| 4.2 传统的编程算法 | 第85-93页 |
| 4.3 编程电流的温度特性 | 第93-94页 |
| 4.4 温度自适应的编程算法 | 第94-96页 |
| 4.5 温度自适应编程算法实现的芯片照片和测试结果 | 第96-98页 |
| 4.6 本章小结 | 第98-99页 |
| 第五章 电荷泵的设计 | 第99-114页 |
| 5.1 电荷泵的发展历史 | 第100-101页 |
| 5.2 电荷泵的工作原理 | 第101-103页 |
| 5.2.1 工作原理 | 第101-102页 |
| 5.2.2 负载线 | 第102-103页 |
| 5.2.3 频率和输出能力的曲线 | 第103页 |
| 5.3 电荷泵的设计指标 | 第103-104页 |
| 5.4 电荷泵设计 | 第104-109页 |
| 5.4.1 四相电荷泵的设计及仿真测试结果 | 第104-108页 |
| 5.4.2 低电压高效率电荷泵的设计及仿真结果 | 第108-109页 |
| 5.5 电荷泵的行为模型 | 第109-111页 |
| 5.6 版图设计及寄生效应的考虑 | 第111-113页 |
| 5.7 本章小结 | 第113-114页 |
| 第六章 结论 | 第114-118页 |
| 6.1 论文工作总结及创新点 | 第114-116页 |
| 6.2 展望 | 第116-118页 |
| 参考文献 | 第118-125页 |
| 论文期间已发表和拟发表的文章及专利 | 第125-126页 |
| 致谢 | 第126-127页 |
