4H-SiC晶闸管电荷调制JTE的研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第8页 |
| 1.2 SiC终端技术研究进展及难点 | 第8-13页 |
| 1.2.1 SiC晶闸管结终端技术的发展 | 第8-11页 |
| 1.2.2 SiC高压器件结终端技术发展 | 第11-13页 |
| 1.2.3 SiC器件中结终端技术的难点 | 第13页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第13-14页 |
| 2 器件耐压机理与结终端技术 | 第14-22页 |
| 2.1 器件耐压机理 | 第14页 |
| 2.2 碰撞电离模型 | 第14-15页 |
| 2.3 结终端技术 | 第15-20页 |
| 2.3.1 电场集中效应 | 第15-16页 |
| 2.3.2 场限环 | 第16-17页 |
| 2.3.3 场板 | 第17-18页 |
| 2.3.4 结终端扩展(JTE) | 第18-20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-22页 |
| 3 高压晶闸管结终端技术研究 | 第22-32页 |
| 3.1 台面结终端技术研究 | 第22-26页 |
| 3.1.1 不同的台面高度 | 第22-23页 |
| 3.1.2 不同的台面角度 | 第23-25页 |
| 3.1.3 不同的台面形貌 | 第25-26页 |
| 3.2 台面+单区JTE结终端技术研究 | 第26-29页 |
| 3.3 台面+三区JTE结终端技术研究 | 第29-30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 4 20kV晶闸管电荷调制JTE的提出及研究 | 第32-54页 |
| 4.1 电荷调制JTE结构的耐压机理 | 第32-33页 |
| 4.2 JTE中电荷调制环的优化 | 第33-40页 |
| 4.2.1 JTE3区环的优化 | 第34-36页 |
| 4.2.2 JTE2区环的优化 | 第36-38页 |
| 4.2.3 电荷调制JTE的对比验证 | 第38-40页 |
| 4.3 新型终端结构的工艺方案 | 第40-41页 |
| 4.4 JTE区光刻偏差对器件击穿电压的影响 | 第41-44页 |
| 4.5 几种终端的比较 | 第44-53页 |
| 4.5.1 表征结终端效果 | 第44-46页 |
| 4.5.2 工艺容差特性研究（最优剂量范围） | 第46-47页 |
| 4.5.3 界面电荷对不同结终端结构的影响 | 第47-53页 |
| 4.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 5 总结 | 第54-56页 |
| 5.1 结论 | 第54-55页 |
| 5.2 不足与展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 在校期间发表的论文及获奖情况 | 第62页 |
