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Ni-SiC气敏型瓦斯传感检测器件的研究

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-13页
    1.1 研究背景及意义第9页
    1.2 国内外研究现状第9-12页
        1.2.1 瓦斯检测方法介绍第9-10页
        1.2.2 气敏型传感器研究现状第10-12页
    1.3 主要研究内容第12-13页
2 气敏器件吸附特征研究第13-36页
    2.1 碳化硅半导体材料简介第13-14页
    2.2 吸附动力学研究方法和理论第14-17页
        2.2.1 密度泛函理论第14-17页
    2.3 CO在Ni-SiC(001)-(3×3)表面化学吸附研究第17-32页
        2.3.1 CO在1/9掺杂Ni原子SiC(001)表面化学吸附研究第18-22页
        2.3.2 CO在1/3掺杂Ni原子SiC(001)表面化学吸附研究第22-27页
        2.3.3 CO在2/3掺杂Ni原子SiC(001)表面化学吸附研究第27-30页
        2.3.4 几种不同掺杂比之间的比较第30-32页
    2.4 CH_4在Ni-SiC(001)-(3×3)表面物理吸附研究第32-35页
    2.5 本章小结第35-36页
3 气敏器件微弱信号处理第36-40页
    3.1 前置处理电路第36-39页
    3.2 器件使用问题第39页
    3.3 本章小结第39-40页
4 微控制器及外围电路设计第40-48页
    4.1 STM32工作的最小系统第40-42页
        4.1.1 STM32微控制芯片简介第40-41页
        4.1.2 STM32最小系统第41-42页
    4.2 电源供电系统第42-45页
        4.2.1 锂电池供电电路第42-44页
        4.2.2 锂电池充电电路第44-45页
    4.3 显示及报警电路的设计第45-47页
        4.3.1 浓度显示电路第45-46页
        4.3.2 报警电路第46-47页
    4.4 本章小结第47-48页
5 微控制系统的软件编程与实现第48-53页
    5.1 软件程序流程第48-51页
        5.1.1 信号采集程序流程第48-49页
        5.1.2 显示程序流程第49-51页
        5.1.3 声光报警程序流程第51页
    5.2 程序编写与实现第51-52页
    5.3 本章小结第52-53页
6 总结与展望第53-55页
    6.1 总结第53-54页
    6.2 展望第54-55页
致谢第55-56页
参考文献第56-59页
附录第59页

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