| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 ZnO 薄膜的结构特性 | 第10-11页 |
| 1.3 ZnO 薄膜的光电特性 | 第11-12页 |
| 1.4 ZnO 薄膜的发光机理 | 第12-13页 |
| 1.4.1 绿光的发光机制 | 第12-13页 |
| 1.4.2 其他光的发光机制 | 第13页 |
| 1.5 ZnO 薄膜的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.5.1 ZnO 的p 型掺杂和PN 结的制作 | 第14页 |
| 1.5.2 缺陷行为和载流子输运特性的研究 | 第14页 |
| 1.5.3 利用ZnO 制作紫外半导体激光器 | 第14-15页 |
| 1.5.4 高质量ZnO 薄膜的生长和现有器件的改进 | 第15页 |
| 1.6 ZnO 薄膜的制备方法 | 第15-17页 |
| 1.6.2 分子束外延(MBE) | 第16页 |
| 1.6.3 金属有机物汽相外延(MOCVD) | 第16页 |
| 1.6.4 锌膜氧化法 | 第16-17页 |
| 1.7 ZnO 薄膜的应用研究进展 | 第17-20页 |
| 1.7.1 制作紫外光探测器 | 第17页 |
| 1.7.2 可与GaN 互作缓冲层 | 第17-18页 |
| 1.7.3 用于光电器件的单片集成 | 第18页 |
| 1.7.4 制作表面声波器件 | 第18-20页 |
| 1.8 PLD 技术的应用研究进展 | 第20-25页 |
| 1.8.1 PLD(Pulsed Laser Deposition)技术发展历史 | 第20-21页 |
| 1.8.2 PLD 技术的基本原理及物理过程 | 第21-24页 |
| 1.8.2.1 激光与靶相互作用及等离子体的气化、产生及膨胀 | 第22-23页 |
| 1.8.2.2 激光等离子体与基片表面的相互作用 | 第23-24页 |
| 1.8.2.3 在衬底表面凝结成膜 | 第24页 |
| 1.8.3 PLD 技术的特点 | 第24-25页 |
| 1.8.3.1 PLD 技术的优点 | 第24-25页 |
| 1.8.3.2 PLD 技术的缺点 | 第25页 |
| 1.9 本文研究的目的及内容 | 第25-26页 |
| 第二章 实验方法及工艺研究 | 第26-31页 |
| 2.1 实验材料 | 第26页 |
| 2.2 实验设备 | 第26-27页 |
| 2.3 实验方案 | 第27-29页 |
| 2.3.1 采用Zn 靶,以Si(111)为衬底在通氧的情况下用PLD 法制取ZnO膜 | 第27-28页 |
| 2.3.2 采用Zn 靶,以石英玻璃为衬底用PLD 方法制取Zn 薄膜,然后通氧氧化制取ZnO 薄膜 | 第28页 |
| 2.3.3 采用 Zn 靶,以石英玻璃为衬底在通氧的情况下用 PLD 法制取ZnO 膜 | 第28-29页 |
| 2.4 微观组织、结构和发光性能的表征 | 第29页 |
| 2.5 工艺性研究 | 第29-31页 |
| 第三章 在Si 基体上脉冲激光沉积ZnO 薄膜组织结构及发光性能 | 第31-60页 |
| 3.1 引言 | 第31-32页 |
| 3.2 激光能量密度对ZnO 薄膜形成的影响 | 第32-37页 |
| 3.2.1 激光能量密度对ZnO 薄膜结构(XRD)的影响 | 第32-34页 |
| 3.2.2 激光能量密度对ZnO 薄膜组织(SEM)的影响 | 第34-37页 |
| 3.3 氧气压力对ZnO 薄膜形成的影响 | 第37-47页 |
| 3.3.1 氧气压力对ZnO 薄膜结构(XRD)的影响 | 第37-39页 |
| 3.3.2 氧气压力对ZnO 薄膜组织(SEM)的影响 | 第39-42页 |
| 3.3.3 氧气压力对ZnO 薄膜photoluminescence(PL)的影响 | 第42-47页 |
| 3.4 基体温度对ZnO 薄膜形成的影响 | 第47-58页 |
| 3.4.1 基体温度对ZnO 薄膜结构(XRD)的影响 | 第47-49页 |
| 3.4.2 基体温度对ZnO 薄膜组织的影响 | 第49-56页 |
| 3.4.3 基体温度对ZnO 薄膜photoluminescence(PL)的影响 | 第56-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 石英玻璃基体上脉冲激光沉积ZnO 薄膜组织结构及发光性能 | 第60-71页 |
| 4.1 引言 | 第60页 |
| 4.2 基体温度对ZnO 薄膜形成的影响 | 第60-70页 |
| 4.2.1 基体温度对ZnO 薄膜组织结构的影响 | 第60-64页 |
| 4.2.2 基体温度对ZnO 薄膜发光性能的影响 | 第64-67页 |
| 4.2.3 基体温度对ZnO 薄膜透光率和吸光度的影响 | 第67-70页 |
| 4.3 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 金属锌膜退火氧化制备的ZnO 薄膜组织结构及发光性能 | 第71-83页 |
| 5.1 引言 | 第71页 |
| 5.2 氧气压力对锌膜退火氧化制备的ZnO 薄膜的影响 | 第71-77页 |
| 5.2.1 氧气压力对ZnO 薄膜结构(XRD)的影响 | 第71-73页 |
| 5.2.2 氧气压力对ZnO 薄膜photoluminescence(PL)的影响 | 第73-77页 |
| 5.3 退火温度对锌膜退火氧化制备的ZnO 薄膜的影响 | 第77-82页 |
| 5.3.1 退火温度对ZnO 薄膜组织结构的影响 | 第77-80页 |
| 5.3.2 退火温度对ZnO 薄膜photoluminescence(PL)的影响 | 第80-82页 |
| 5.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 第六章 结论 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-97页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第97-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
| 摘要 | 第99-102页 |
| Abstract | 第102页 |
