硅基GaN薄膜材料及紫外探测器原型器件研究
| 中文摘要 | 第5-7页 |
| 英文摘要 | 第7页 |
| 第一章 前 言 | 第10-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-39页 |
| 2．1 引言 | 第12-14页 |
| 2．2 GaN的基本性质 | 第14-19页 |
| 2．3 GaN材料的制备 | 第19-27页 |
| 2．4 掺杂和杂质 | 第27-29页 |
| 2．5 器件工艺 | 第29-30页 |
| 2．6 本工作的主要研究内容 | 第30-33页 |
| 参考文献 | 第33-39页 |
| 第三章 GaN外延生长系统和生长工艺 | 第39-45页 |
| 3．1 GaN外延生长系统 | 第39-41页 |
| 3．2 GaN外延生长工艺 | 第41-44页 |
| 参考文献： | 第44-45页 |
| 第四章 硅基GaN的薄膜外延生长及特性研究 | 第45-68页 |
| 4．1 样品制备和测试 | 第45-46页 |
| 4．2 薄膜的厚度 | 第46页 |
| 4．3 样品的表面形貌 | 第46-49页 |
| 4．4 样品的晶体学分析 | 第49-56页 |
| 4．3 GaN样品的外延缺陷分析 | 第56-57页 |
| 4．4 GaN样品的组分分析 | 第57-61页 |
| 4．5 GaN样品的发光特性分析 | 第61-65页 |
| 4．6 霍尔测试分析 | 第65-66页 |
| 4．7 小结 | 第66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第五章 氮化硅层在GaN外延生长中的作用 | 第68-75页 |
| 5．1 引言 | 第68页 |
| 5．2 GaN样品制备 | 第68-69页 |
| 5．3 实验分析 | 第69-74页 |
| 5．4 小结 | 第74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
| 第六章 GaN外延的晶体学位相关系和生长机理 | 第75-88页 |
| 6．1 引言 | 第75页 |
| 6．2 GaN样品制备 | 第75-76页 |
| 6．3 实验分析 | 第76-80页 |
| 6．4 反应蒸发外延沉积机理初步探讨 | 第80-86页 |
| 6．5 小结 | 第86页 |
| 参考文献 | 第86-88页 |
| 第七章 通过离子注入进行GaN的P型掺杂 | 第88-92页 |
| 7．1 引言 | 第88-89页 |
| 7．2 实验过程 | 第89页 |
| 7．3 实验结果分析与讨论 | 第89-91页 |
| 7．4 小结 | 第91页 |
| 参考文献 | 第91-92页 |
| 第八章 硅基GaN金属电极的研制 | 第92-101页 |
| 8．1 引言 | 第92页 |
| 8．2 欧姆接触 | 第92-93页 |
| 8．3 制版技术 | 第93页 |
| 8．4 光刻 | 第93-94页 |
| 8．5 器件制备 | 第94-95页 |
| 8．6 结果与讨论 | 第95-99页 |
| 8．7 结论 | 第99页 |
| 参考文献 | 第99-101页 |
| 第九章 结 论 | 第101-103页 |
| 第十章 对今后工作的一些思考 | 第103-104页 |
| 致 谢 | 第104-106页 |
| 附： 在读期间发表的论文 | 第106-107页 |
