4H-SiC结势垒肖特基二极管噪声特性及可靠性诊断方法研究
摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6页 |
符号对照表 | 第10-12页 |
缩略语对照表 | 第12-15页 |
第一章 绪论 | 第15-19页 |
1.1 研究背景 | 第15-16页 |
1.2 研究意义 | 第16-17页 |
1.3 论文结构 | 第17-19页 |
第二章 SiCJBS器件损伤传统表征方法 | 第19-33页 |
2.1 肖特基二极管的理论与分析 | 第19-22页 |
2.1.1 正向导通特性 | 第20-21页 |
2.1.2 反向截止特性 | 第21-22页 |
2.2 SiC JBS二极管 | 第22-27页 |
2.2.1 JBS电学特性 | 第22-26页 |
2.2.2 SiC JBS漏电流机制 | 第26-27页 |
2.3 SiC JBS应力损伤分析 | 第27-30页 |
2.3.1 材料损伤 | 第27-29页 |
2.3.2 器件参数退化 | 第29-30页 |
2.4 SiC JBS应力损伤传统表征方法 | 第30-32页 |
2.4.1 X射线衍射与电子显微镜技术 | 第30页 |
2.4.2 器件特性退化表征方法及参量 | 第30-31页 |
2.4.3 传统表征方法的局限性 | 第31-32页 |
2.5 小结 | 第32-33页 |
第三章 SiC JBS的可靠性问题与灵敏表征方法 | 第33-59页 |
3.1 应力对SiC JBS性能参数的影响 | 第33-48页 |
3.1.1 辐照引起的JBS二极管参数退化 | 第33-37页 |
3.1.2 浪涌电流对JBS二极管可靠性的影响 | 第37-41页 |
3.1.3 JBS二极管的静电应力损伤 | 第41-48页 |
3.2 应力作用下JBS二极管噪声参量变化 | 第48-53页 |
3.2.1 噪声参量分析基础 | 第49-52页 |
3.2.2 JBS噪声表征模型 | 第52-53页 |
3.3 SiC JBS二极管灵敏无损表征方法 | 第53-56页 |
3.3.1 灵敏无损表征的意义 | 第54-56页 |
3.3.2 灵敏表征参量优选原则 | 第56页 |
3.4 小结 | 第56-59页 |
第四章 4H-SiC JBS静电放电损伤研究 | 第59-71页 |
4.1 静电放电实验 | 第59-60页 |
4.1.1 实验样品 | 第59页 |
4.1.2 静电放电测试方案 | 第59-60页 |
4.2 静电实验电学特性分析 | 第60-64页 |
4.2.1 电学特性测试结果 | 第60-61页 |
4.2.2 电学特性退化分析 | 第61-64页 |
4.3 静电实验低频噪声分析 | 第64-69页 |
4.3.1 JBS低频噪声测试结果 | 第64-65页 |
4.3.2 噪声表征模型验证 | 第65页 |
4.3.3 JBS低频噪声退化分析 | 第65-68页 |
4.3.4 JBS静电放损伤灵敏表征参量提取 | 第68-69页 |
4.4 小结 | 第69-71页 |
第五章 总结与展望 | 第71-73页 |
5.1 主要研究工作总结 | 第71页 |
5.2 展望 | 第71-73页 |
参考文献 | 第73-77页 |
致谢 | 第77-78页 |
作者简介 | 第78-79页 |