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4H-SiC结势垒肖特基二极管噪声特性及可靠性诊断方法研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
符号对照表第10-12页
缩略语对照表第12-15页
第一章 绪论第15-19页
    1.1 研究背景第15-16页
    1.2 研究意义第16-17页
    1.3 论文结构第17-19页
第二章 SiCJBS器件损伤传统表征方法第19-33页
    2.1 肖特基二极管的理论与分析第19-22页
        2.1.1 正向导通特性第20-21页
        2.1.2 反向截止特性第21-22页
    2.2 SiC JBS二极管第22-27页
        2.2.1 JBS电学特性第22-26页
        2.2.2 SiC JBS漏电流机制第26-27页
    2.3 SiC JBS应力损伤分析第27-30页
        2.3.1 材料损伤第27-29页
        2.3.2 器件参数退化第29-30页
    2.4 SiC JBS应力损伤传统表征方法第30-32页
        2.4.1 X射线衍射与电子显微镜技术第30页
        2.4.2 器件特性退化表征方法及参量第30-31页
        2.4.3 传统表征方法的局限性第31-32页
    2.5 小结第32-33页
第三章 SiC JBS的可靠性问题与灵敏表征方法第33-59页
    3.1 应力对SiC JBS性能参数的影响第33-48页
        3.1.1 辐照引起的JBS二极管参数退化第33-37页
        3.1.2 浪涌电流对JBS二极管可靠性的影响第37-41页
        3.1.3 JBS二极管的静电应力损伤第41-48页
    3.2 应力作用下JBS二极管噪声参量变化第48-53页
        3.2.1 噪声参量分析基础第49-52页
        3.2.2 JBS噪声表征模型第52-53页
    3.3 SiC JBS二极管灵敏无损表征方法第53-56页
        3.3.1 灵敏无损表征的意义第54-56页
        3.3.2 灵敏表征参量优选原则第56页
    3.4 小结第56-59页
第四章 4H-SiC JBS静电放电损伤研究第59-71页
    4.1 静电放电实验第59-60页
        4.1.1 实验样品第59页
        4.1.2 静电放电测试方案第59-60页
    4.2 静电实验电学特性分析第60-64页
        4.2.1 电学特性测试结果第60-61页
        4.2.2 电学特性退化分析第61-64页
    4.3 静电实验低频噪声分析第64-69页
        4.3.1 JBS低频噪声测试结果第64-65页
        4.3.2 噪声表征模型验证第65页
        4.3.3 JBS低频噪声退化分析第65-68页
        4.3.4 JBS静电放损伤灵敏表征参量提取第68-69页
    4.4 小结第69-71页
第五章 总结与展望第71-73页
    5.1 主要研究工作总结第71页
    5.2 展望第71-73页
参考文献第73-77页
致谢第77-78页
作者简介第78-79页

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