| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 序言 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 常见的几种放电方式 | 第11-15页 |
| 1.3 低温等离子体在材料处理中的应用 | 第15-18页 |
| 1.3.1 等离子体沉积薄膜 | 第15-16页 |
| 1.3.2 等离子体刻蚀 | 第16-17页 |
| 1.3.3 等离子体处理材料改性 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第二章 等离子体发射光谱 | 第20-27页 |
| 2.1 原子光谱 | 第20-21页 |
| 2.2 分子光谱 | 第21-22页 |
| 2.3 谱线展宽机制 | 第22-23页 |
| 2.4 跃迁选择定则 | 第23-26页 |
| 2.4.1 单电子跃迁选择定则 | 第24页 |
| 2.4.2 多电子跃迁选择定则 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-27页 |
| 第三章ICP/CCP放电及诊断 | 第27-66页 |
| 3.1 放电装置 | 第27-29页 |
| 3.2 诊断装置 | 第29-35页 |
| 3.2.1 发射光谱诊断 | 第29-32页 |
| 3.2.2 朗缪尔探针诊断 | 第32-35页 |
| 3.3 H_2/Ar放电光谱诊断 | 第35-48页 |
| 3.3.1 谱线强度随放电功率的变化 | 第35-38页 |
| 3.3.2 H原子浓度随放电功率变化 | 第38-43页 |
| 3.3.3 电子温度随放电功率的变化 | 第43-48页 |
| 3.4 N_2放电发射光谱诊断 | 第48-59页 |
| 3.4.1 N_2分子振动、转动温度的计算方法 | 第50-55页 |
| 3.4.2 计算结果讨论 | 第55-56页 |
| 3.4.3 N_2振动转动温度随ICP功率变化 | 第56-59页 |
| 参考文献 | 第59-66页 |
| 第四章ZnO:Al薄膜的H_2/Ar放电处理 | 第66-78页 |
| 4.1 ZnO:Al薄膜的制备 | 第66-68页 |
| 4.1.1 基片准备 | 第66页 |
| 4.1.2 实验装置与参数 | 第66-68页 |
| 4.2 ZnO:Al薄膜的ICP/CCP氢气放电处理 | 第68-69页 |
| 4.3 处理前后薄膜性质的变化 | 第69-74页 |
| 4.3.1 结构性质 | 第69-71页 |
| 4.3.2 电学性质 | 第71-72页 |
| 4.3.3 光学性质 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 第五章 总结 | 第78-79页 |
| 攻读硕士期间公开发表的论文及科研成果 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |